[發(fā)明專利]一種OGS觸摸屏的制作工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410197204.9
• 申請日: 2014-05-09
• 公開（公告）號: CN104035637A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張吉
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江金指科技有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 杭州華鼎知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33217
• 代理人: 胡根良

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及觸摸屏領(lǐng)域，特別是一種OGS觸摸屏的制作工藝。

背景技術(shù)

目前OGS電容式觸摸屏普遍采用的邊框工藝為絲網(wǎng)印刷或BM光阻劑(與ITO層在同一面)，可以基本滿足OGS觸摸屏的使用要求，但無論是絲網(wǎng)印刷還是BM光阻劑都無法耐受高溫，即溫度不能高于230℃，即ITO膜層沉積時(shí)不能采用超過230℃的溫度造成ITO膜層沉積質(zhì)量較低，從產(chǎn)品的良品率不高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要達(dá)到的目的是提供一種OGS觸摸屏的制作工藝,可使用超過230℃的溫度沉積ITO導(dǎo)電膜層。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：一種OGS觸摸屏的制作工藝，包括下述步驟，在玻璃基板的一面沉積金屬化合物，使用蝕刻工藝制作形成金屬邊框?qū)?，金屬化合物為TiCN或TiN；在金屬邊框?qū)由铣练e一層五氧化二鈮；在五氧化二鈮上覆蓋一層二氧化硅與五氧化二鈮共同構(gòu)成消影膜；在消影膜上濺射氧化銦錫并使用340℃-360℃的溫度退火處理形成ITO導(dǎo)電膜，在ITO導(dǎo)電膜上蝕刻電路；在ITO導(dǎo)電膜上覆蓋OC絕緣層絕緣；在OC絕緣膜層上沉積一層金屬膜層，在金屬膜層上蝕刻過橋和電路；在金屬膜層上覆蓋一層保護(hù)層；進(jìn)行一遍或兩遍邊框絲印制成OGS觸摸傳感器；使用OCA光學(xué)膠將顯示屏貼合在OGS觸摸傳感器帶有保護(hù)層的一面制成OGS觸摸屏。

進(jìn)一步的，在玻璃基板的一面反應(yīng)濺射沉積金屬化合物時(shí)溫度在280℃-320℃。

進(jìn)一步的，所述消影膜的沉積鍍膜溫度為210℃-230℃。

進(jìn)一步的，在OC絕緣層上沉積金屬膜層的溫度為215℃-225℃。

進(jìn)一步的，所述保護(hù)層的材料為二氧化硅。

采用上述技術(shù)方案后，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)：

使用金屬邊框可耐受高溫，使沉積ITO導(dǎo)電膜時(shí)可使用超過230℃的高溫，從而提高ITO導(dǎo)電膜的質(zhì)量，提高良品率。

具體實(shí)施方式

一種OGS觸摸屏的制作工藝，包括下述步驟，在玻璃基板的一面使用300℃的溫度(也可以是280℃、320℃或280℃-320℃中的其他取值)沉積金屬化合物，使用蝕刻工藝制作形成金屬邊框?qū)樱饘倩衔餅門iCN或TiN；在金屬邊框?qū)由鲜褂?20℃的溫度(也可以是210℃、230℃或210℃-230℃中的其他取值)沉積一層五氧化二鈮；在五氧化二鈮上覆蓋一層二氧化硅與五氧化二鈮共同構(gòu)成消影膜；在消影膜上濺射氧化銦錫并使用350℃的溫度(也可以是340℃、360℃或340℃-360℃中的其他取值)的溫度退火處理形成ITO導(dǎo)電膜，在ITO導(dǎo)電膜上蝕刻電路；在ITO導(dǎo)電膜上覆蓋OC絕緣層絕緣；在OC絕緣膜層上使用220℃的溫度(也可以是215℃、225℃或215℃-225℃中的其他取值)沉積一層金屬膜層，在金屬膜層上蝕刻過橋和電路；在金屬膜層上覆蓋一層二氧化硅材質(zhì)的保護(hù)層；進(jìn)行一遍或兩遍邊框絲印制成OGS觸摸傳感器；使用OCA光學(xué)膠將顯示屏貼合在OGS觸摸傳感器帶有保護(hù)層的一面制成OGS觸摸屏。

使用金屬邊框可耐受高溫，使沉積ITO導(dǎo)電膜時(shí)可使用超過230℃的高溫，從而提高ITO導(dǎo)電膜的質(zhì)量，提高良品率。

除上述優(yōu)選實(shí)施例外，本發(fā)明還有其他的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明作出各種改變和變形，只要不脫離本發(fā)明的精神，均應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求所定義的范圍。