[發明專利]液晶顯示器及其制造方法

在審

• 申請號: 201410196772.7
• 申請日: 2014-05-09
• 公開（公告）號: CN104142590A
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發明（設計）人: 李熙根;金筵泰;盧淳俊
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1337
• 分類號: G02F1/1337;G02F1/1333
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;譚昌馳

1.一種液晶顯示器，所述液晶顯示器包括：

絕緣基底；

像素電極，設置在絕緣基底上；

下取向層，設置在像素電極上，下取向層包括由無機絕緣材料形成的無機取向層；

液晶層，設置在微腔中，微腔設置在下取向層上；

上取向層，沿著微腔的側面和上表面設置，上取向層包括由無機絕緣材料形成的無機取向層；以及

共電極，設置在上取向層上；

其中，上取向層和下取向層圍封液晶層。

2.根據權利要求1所述的液晶顯示器，其中，無機絕緣材料由SiOx、氮化硅、碳化硅、非晶硅和氟化類金剛石中的至少一種形成。

3.根據權利要求2所述的液晶顯示器，其中，無機取向層由SiOx形成。

4.根據權利要求3所述的液晶顯示器，其中，作為SiOx的組成比，x的值在2.3和2.4之間。

5.根據權利要求3所述的液晶顯示器，其中，上取向層或下取向層的厚度在和之間。

6.根據權利要求3所述的液晶顯示器，其中，上取向層或下取向層的介電常數在5和7之間。

7.根據權利要求1所述的液晶顯示器，其中，上取向層和下取向層在相鄰的微腔之間疊置。

8.根據權利要求1所述的液晶顯示器，其中，上取向層和共電極沿著微腔彎曲。

9.根據權利要求1所述的液晶顯示器，所述液晶顯示器還包括頂層，所述頂層被形成為覆蓋共電極的至少一部分并且包括柱形狀。

10.根據權利要求9所述的液晶顯示器，所述液晶顯示器還包括上絕緣層，所述上絕緣層形成為覆蓋頂層的至少一部分。

11.根據權利要求9所述的液晶顯示器，所述液晶顯示器還包括設置在共電極與頂層之間的下絕緣層。

12.一種制造液晶顯示器的方法，所述方法包括：

在絕緣基底上形成像素電極；

用無機絕緣材料形成下取向層，以覆蓋像素電極；

在下取向層上形成具有側面和上表面的犧牲層；

用無機絕緣材料在犧牲層的側面和上表面上形成上取向層；

形成共電極，以覆蓋上取向層；

形成包括柱的頂層，以覆蓋共電極；

形成液晶注入孔，以暴露犧牲層；

去除通過液晶注入孔所暴露的犧牲層，以形成微腔；以及

在微腔中注入液晶分子，以形成液晶層。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，無機絕緣材料由SiOx、氮化硅、碳化硅、非晶硅和氟化類金剛石中的至少一種形成。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，下取向層和上取向層由SiOx形成。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，作為SiOx的組成比，x的值在2.3和2.4之間。

16.根據權利要求14所述的方法，其中，上取向層或下取向層的厚度在和之間。

17.根據權利要求14所述的方法，其中，上取向層或下取向層的介電常數在5和7之間。

18.根據權利要求12所述的方法，其中，在以下條件下沉積上取向層或下取向層：沉積溫度為大約100℃，沉積壓力為大約1.5托，N₂O為大約7000sccm，SiH₄為大約120sccm，沉積時間在27秒與75秒之間。

19.根據權利要求12所述的方法，其中，形成下取向層或形成上取向層的步驟包括：去除沉積在焊盤上的下取向層和上取向層。

20.根據權利要求12所述的方法，其中，形成下取向層或形成上取向層的步驟還包括：在用無機絕緣材料形成下取向層和上取向層之后執行清洗。