[發明專利]一種可控反應物均勻分布的雙通道噴口結構有效
| 申請號： | 201410196612.2 | 申請日： | 2014-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN103981512A | 公開（公告）日： | 2014-08-13 |
| 發明（設計）人： | 魏武;劉鵬;趙紅軍;張俊業;童玉珍;張國義 | 申請（專利權）人： | 東莞市中鎵半導體科技有限公司;北京大學 |
| 主分類號： | C23C16/455 | 分類號： | C23C16/455;C23C16/34 |
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| 地址： | 523518 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 可控 反應物 均勻分布 雙通道 噴口 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種可控反應物均勻分布的雙通道噴口結構，其特征為：包含第一通道和第二通道；所述第二通道位于第一通道的中心位置，第一通道通入氣體為氣相沉積反應物氣體，如GaCl；所述第二通道通入氣體可以是N2也可以是GaCl與N2的混合氣體。?
2.根據權利要求1所述的雙通道噴口結構，其特征為：所述通入的各氣體的流量比例可以任意調節。?
3.根據權利要求1所述的所述反應物氣體，其特征為：所述反應物氣體噴出該噴口后可以與其他反應氣體(如NH3)相結合生成產物。?
4.根據權利要求1所述的雙通道噴口結構，其特征為：所述第一通道為等直徑或變直徑圓柱形通道。?
5.根據權利要求1所述的雙通道噴口結構，其特征為：所述第二通道可以為一段圓柱形通道，也可由兩段組成，上段為圓柱形，下段為圓臺形或倒圓臺形，兩段相連處直徑相等。?
6.根據權利要求1所述的雙通道噴口結構，其特征為：所述雙通道噴口結構，既可應用于立式HVPE系統，也可應用于倒立式HVPE系統。?
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
