[發(fā)明專利]一種單晶硅倒金字塔陣列結(jié)構(gòu)絨面及其制備方法和應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410196601.4
• 申請日: 2014-05-09
• 公開（公告）號: CN103952768A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉繼春;高平奇;李思眾;楊熹;韓燦
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;C30B29/06;H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 上海一平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31266
• 代理人: 馬莉華;崔佳佳

1.一種單晶硅絨面的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(a)在基片的至少一個主表面上生成聚合物微球單層薄膜，得到基片-聚合物微球單層薄膜；

(b)在所述基片-聚合物微球單層薄膜上生成掩膜層，得到基片-聚合物微球單層薄膜-掩膜層；

(c)除去所述基片-聚合物微球單層薄膜-掩膜層中的聚合物微球，使所述主表面裸露出未覆蓋掩膜的多個單元；

(d)腐蝕未覆蓋所述掩膜的單元，使其形成倒金字塔形壓槽，從而在所述基片的所述主表面上得到倒金字塔陣列結(jié)構(gòu)絨面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(a)包括：

通過自組裝技術(shù)生成單層有序周期排布的聚合物微球薄膜；

將所述聚合物微球薄膜鋪到所述基片的至少一個主表面上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述聚合物微球?yàn)榫酆衔锛{米球，所述聚合物納米球的直徑為50～1000nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(a)包括：

提供一表面具有親水性的基片；

通過漂移法生成單層有序周期排布的聚合物微球薄膜；

將所述表面具有親水性的基片放入液面浮有聚合物微球薄膜的溶液，撈取所述聚合物微球薄膜到所述基片的主表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(c)包括以下步驟：

高溫分解所述聚合物微球，使所述主表面裸露出未覆蓋掩膜的多個單元；和/或

在可溶解所述聚合物微球的溶液中超聲去除所述聚合物微球，使所述主表面裸露出未覆蓋掩膜的多個單元。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(d)包括：

保留或全部去除所述掩膜層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟(d)中，所述的腐蝕在堿性溶液中進(jìn)行。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述堿性溶液選自下組：氫氧化鉀/異丙醇體系溶液、氫氧化鈉/異丙醇體系溶液、四甲基氫氧化銨溶液，或其組合。

9.一種單晶硅，其特征在于，所述單晶硅包括由權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的制備方法制備的絨面，所述絨面具有倒金字塔陣列結(jié)構(gòu)，其中，所述倒金字塔陣列結(jié)構(gòu)由多個倒金字塔形壓槽組成，所示壓槽的平均底面邊長為10nm～10000nm。

10.一種太陽能電池，其特征在于，所述的太陽能電池包括如權(quán)利要求9所述的單晶硅。