[發明專利]埋入式字線及其隔離結構的制造方法

有效

• 申請號: 201410196593.3
• 申請日: 2014-05-09
• 公開（公告）號: CN105097641B
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發明（設計）人: 樸哲秀;歐陽自明
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 王芝艷,鄒宗亮

1.一種埋入式字線及其隔離結構的制造方法，其特征在于所述方法包括：

在一基板的表面上形成由一第一氮化層、氧化層與一第二氮化層所構成的多層結構；

圖案化該多層結構，以形成暴露該基板的該表面的多個第一溝槽；

以該多層結構為蝕刻掩模，蝕刻去除暴露出的該基板，以形成多個埋入式字線溝槽；

在所述多個埋入式字線溝槽內分別形成埋入式字線，且該埋入式字線的頂部低于該基板的該表面；

在該埋入式字線上的所述多個第一溝槽內分別形成掩模結構層；

分別移除該多層結構內的該第二氮化層與該氧化層，以使所述掩模結構層凸出于該第一氮化層；

在所述掩模結構層的側壁形成間隔件，以形成自行對準的第二溝槽；

以所述間隔件與所述掩模結構層為蝕刻掩模，蝕刻去除所述第二溝槽底下的基板，以形成隔離結構溝槽；以及

在所述隔離結構溝槽內形成隔離結構。

2.根據權利要求1的埋入式字線及其隔離結構的制造方法，其特征在于：該第一氮化層與該第二氮化層包括氮化硅層或氮氧化硅層。

3.根據權利要求1的埋入式字線及其隔離結構的制造方法，其特征在于：在形成該多層結構之前還包括：

在該基板的該表面形成一氧化硅層；以及

在該基板內形成有源區隔離結構，所述有源區隔離結構與所述隔離結構將該基板區分成多個有源區。

4.根據權利要求1的埋入式字線及其隔離結構的制造方法，其特征在于：圖案化該多層結構的步驟包括：

在該多層結構上形成掩模層；

圖案化該掩模層，以暴露部分該多層結構；

去除暴露出的該多層結構，以形成所述多個第一溝槽；以及

去除該掩模層。

5.根據權利要求1的埋入式字線及其隔離結構的制造方法，其特征在于：圖案化該多層結構的步驟包括：

在該多層結構上形成多晶硅層；

圖案化該多晶硅層，以形成多個多晶硅條狀結構；

在所述多個多晶硅條狀結構上共形地覆蓋一犧牲層，以形成多個第三溝槽；

于所述多個第三溝槽內填入多晶硅材料；

去除露出的該犧牲層；

以所述多個多晶硅條狀結構與所述多晶硅材料為蝕刻掩模，蝕刻去除暴露出的該多層結構；以及

去除所述多個多晶硅條狀結構、所述多晶硅材料與剩余的該犧牲層。

6.根據權利要求1的埋入式字線及其隔離結構的制造方法，其特征在于：形成所述埋入式字線的步驟包括：

在所述多個埋入式字線溝槽表面形成柵極氧化層；

在所述多個埋入式字線溝槽內沉積導體層；以及

回蝕刻所述導體層。

7.根據權利要求1的埋入式字線及其隔離結構的制造方法，其特征在于：該埋入式字線的頂部比該基板的該表面低20nm～80nm。

8.根據權利要求1的埋入式字線及其隔離結構的制造方法，其特征在于：各該掩模結構層與一側的該掩模結構層之間具有第一間距、與另一側的該掩模結構層之間具有第二間距，且該第一間距與該第二間距的比例在1:2至1:5之間。

9.根據權利要求1的埋入式字線及其隔離結構的制造方法，其特征在于：形成所述間隔件的步驟包括：

在所述掩模結構層上共形地覆蓋一第三氮化層；以及

回蝕刻該第三氮化層。

10.根據權利要求1的埋入式字線及其隔離結構的制造方法，其特征在于：在形成所述隔離結構之后還包括去除該基板的該表面上的該第一氮化層。

11.根據權利要求1的埋入式字線及其隔離結構的制造方法，其特征在于：形成所述隔離結構的步驟包括：

對所述隔離結構溝槽的表面進行氧化；以及

在所述隔離結構溝槽內填入氮化硅。