[發明專利]涂膠方法及涂膠裝置

有效

• 申請號: 201410196004.1
• 申請日: 2014-05-09
• 公開（公告）號: CN105097499B
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: 王堅;王暉
• 申請（專利權）人: 盛美半導體設備(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/312
• 分類號: H01L21/312;H01L21/768;H01L21/67
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種涂膠方法，其特征在于，包括如下步驟：

把有深孔的硅片水平放置，向硅片表面及其深孔內涂覆光刻膠；

加熱硅片，使所述深孔內的光刻膠處于液態，同時使硅片繞一轉軸公轉，以使所述深孔底部的光刻膠在離心力的作用下流向靠近深孔的一側的側壁；

保持硅片公轉，并使硅片繞其自身的中心軸自轉，以使光刻膠均勻分布在深孔的整個側壁上而深孔的底部沒有光刻膠；

固化深孔整個側壁上的光刻膠。

2.根據權利要求1所述的涂膠方法，其特征在于，在真空狀態下向硅片表面及其深孔內涂覆光刻膠。

3.根據權利要求1所述的涂膠方法，其特征在于，在所述向硅片表面及其深孔內涂覆光刻膠的過程中，使硅片繞其自身的中心軸自轉。

4.根據權利要求1所述的涂膠方法，其特征在于，在常壓狀態下保持硅片公轉，并使硅片繞其自身的中心軸自轉。

5.根據權利要求1所述的涂膠方法，其特征在于，所述固化深孔整個側壁上的光刻膠的步驟進一步包括：向硅片吹保護性氣體以固化深孔整個側壁上的光刻膠。

6.根據權利要求1所述的涂膠方法，其特征在于，所述固化深孔整個側壁上的光刻膠的步驟進一步包括：使硅片逐漸降溫以固化深孔整個側壁上的光刻膠。

7.一種涂膠裝置，其特征在于，包括：

加工腔；

硅片夾，所述硅片夾水平設置在所述加工腔內，硅片夾水平夾持有深孔的硅片，硅片夾帶動硅片在所述加工腔內繞加工腔中心處的轉軸公轉，硅片夾還帶動硅片繞硅片自身的中心軸自轉；及

噴嘴，所述噴嘴向水平夾持在所述硅片夾上的硅片表面及其深孔內涂覆光刻膠；

其中，硅片繞轉軸公轉使得深孔底部的光刻膠在離心力的作用下流向靠近深孔的一側的側壁，硅片繞中心軸自轉使得光刻膠均勻分布在深孔的整個側壁上而深孔的底部沒有光刻膠。

8.根據權利要求7所述的涂膠裝置，其特征在于，所述硅片夾內設置有加熱裝置，用以對放置在硅片夾上的硅片進行加熱。

9.根據權利要求7所述的涂膠裝置，其特征在于，所述噴嘴向硅片表面及其深孔內涂覆光刻膠的過程中，所述加工腔保持真空狀態。

10.根據權利要求7所述的涂膠裝置，其特征在于，所述硅片在所述加工腔內進行公轉和自轉時，所述加工腔保持常壓狀態。

11.根據權利要求7所述的涂膠裝置，其特征在于，所述加工腔內設置有多個硅片夾，該多個硅片夾對稱設置在一基座上，該多個硅片夾同時繞加工腔中心處的轉軸公轉，還分別繞其自身的中心軸自轉。

12.根據權利要求7所述的涂膠裝置，其特征在于，所述加工腔的側壁開設有穿過加工腔側壁的兩相對布置的通孔，硅片在所述加工腔內進行公轉和自轉的過程中，通過加工腔側壁的一通孔向加工腔注入保護性氣體，形成氣流，以將霧狀的光刻膠從加工腔側壁的另一通孔排出加工腔。