[發(fā)明專利]一種監(jiān)測晶圓固定器應(yīng)力的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410195850.1
• 申請日: 2014-05-09
• 公開（公告）號: CN105097582B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高國珺;王振輝
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種監(jiān)測晶圓固定器應(yīng)力的方法，所述方法包括：

提供監(jiān)測晶圓，所述監(jiān)測晶圓包括半導(dǎo)體襯底和位于其上的氧化物層；

對所述監(jiān)測晶圓進行退火處理，以消除表面電荷；

對所述監(jiān)測晶圓進行離子注入，其中，所述晶圓固定器在所述離子注入過程中對所述監(jiān)測晶圓進行固定；

測試所述監(jiān)測晶圓的表面電荷累積程度，以獲得所述表面電荷的分布情況，所述表面電荷分布異常區(qū)對應(yīng)區(qū)域的應(yīng)力也存在異常。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物層的厚度為500-1500埃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物層的厚度為1000埃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法可用于所有IC制程中的離子注入機臺。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底材料包括硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述監(jiān)測晶圓測試完成后，對其進行退火處理，以使所述監(jiān)測晶圓表面電荷為0，從而使所述監(jiān)測晶圓可以重復(fù)使用若干次。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述監(jiān)測晶圓重復(fù)使用次數(shù)小于30次。