[發明專利]一種高功率半導體激光器的擴束裝置有效
| 申請號: | 201410195842.7 | 申請日: | 2014-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN103996973B | 公開(公告)日: | 2017-01-11 |
| 發明(設計)人: | 蔡磊;劉興勝 | 申請(專利權)人: | 西安炬光科技有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/40 | 分類號: | H01S5/40;H01S5/06 |
| 代理公司: | 西安智邦專利商標代理有限公司61211 | 代理人: | 胡樂 |
| 地址: | 710119 陜西省西安市高*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 功率 半導體激光器 束裝 | ||
1.一種高功率半導體激光器的擴束裝置,其特征在于:包括沿光路依次設置的半導體激光器疊陣、準直透鏡組和分光系統,所述半導體激光器疊陣由若干個半導體激光單元堆疊組成,所述分光系統包括沿半導體激光器疊陣堆疊高度方向依次設置的n個分光鏡以及最后設置的一個全反射鏡,其中第1個分光鏡與半導體激光器疊陣堆疊高度相當,n個分光鏡以及全反射鏡平行等間隔排列,與半導體激光器疊陣出光方向成30-60°設置;第1個分光鏡的透射光與其余n-1個分光鏡以及全反射鏡的反射光共同形成激光擴束;
n個分光鏡的光透過率不同,使得第1個分光鏡的透射光能量與其余n-1個分光鏡以及全反射鏡的反射光能量相等:
第1個分光鏡的透過率為1/(n+1),反射率為n/(n+1);
第m個分光鏡的透過率為(n-m+1)/(n-m+2),反射率為1/(n-m+2);
其中,n為分光鏡總個數,m為分光鏡的排列序號,1<m≤n,排列序號按照激光依次通過的順序進行排號。
2.一種高功率半導體激光器的擴束裝置,其特征在于:包括沿光路依次設置的半導體激光器疊陣、準直透鏡組和分光系統,所述半導體激光器疊陣由若干個半導體激光單元堆疊組成,所述分光系統包括沿半導體激光器疊陣出光方向依次設置的n個分光鏡以及最后設置的一個全反射鏡,其中第1個分光鏡與半導體激光器疊陣堆疊高度相當,n個分光鏡以及全反射鏡平行等間隔排列,與半導體激光器疊陣出光方向成30-60°設置;n個分光鏡以及全反射鏡的反射光共同形成激光擴束;
n個分光鏡的光透過率不同,使得n個分光鏡以及全反射鏡的反射光能量相等:
第m個分光鏡的反射率為1/(n-m+2),透過率為(n-m+1)/(n-m+2);
其中,n為分光鏡總個數,m為分光鏡的排列序號,1≤m≤n,排列序號按照激光依次通過的順序進行排號。
3.根據權利要求1或2所述的高功率半導體激光器的擴束裝置,其特征在于:所述半導體激光單元為焊接在熱沉上的半導體激光器芯片,所述半導體激光器芯片為一個單管芯片、微型巴條或者巴條,或者為多個單管芯片、微型巴條或者巴條。
4.根據權利要求1或2所述的高功率半導體激光器的擴束裝置,其特征在于:所述準直透鏡組包括快軸準直透鏡和慢軸準直透鏡兩者或兩者之一,其中,快軸準直透鏡為準直D型非球面透鏡,慢軸準直鏡為單陣列柱面透鏡。
5.根據權利要求1或2所述的高功率半導體激光器的擴束裝置,其特征在于:所述全反射鏡的基體材料為玻璃或金屬,表面鍍高反膜;或者高反膜采用多層介質反射膜。
6.根據權利要求1或2所述的高功率半導體激光器的擴束裝置,其特征在于:所述分光鏡的基體材料為玻璃,分光鏡表面鍍增反膜,增反膜的材料為硫化鋅-氟化鎂膜系。
7.根據權利要求1或2所述的高功率半導體激光器的擴束裝置,其特征在于:所述分光鏡與全反射鏡一起安裝在帶刻度的固定架上,固定架的材料為塑料,鋁,鋼或者銅。
8.根據權利要求1或2所述的高功率半導體激光器的擴束裝置,其特征在于:分光鏡的光透過率不同是采用不同規格的鍍膜實現。
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