[發明專利]一種高電負性有機半導體

在審

• 申請號: 201410194423.1
• 申請日: 2014-05-09
• 公開（公告）號: CN103951657A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: 李曉常;曾紀森
• 申請（專利權）人: 江西冠能光電材料有限公司
• 主分類號: C07D401/14
• 分類號: C07D401/14;C07D417/14;C07D413/14;C07D403/14;H01L51/00;H01L51/54
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1.一種高電負性有機半導體具有化合物通式I，其中：

（I）

R₁，R₂為取代基：H,苯基，聯苯基，芳雜環，碳原子數小于7的烷基，烷氧基；F,?Cl，-NO_2，或?–CN；

A₁，A₂為高電負性連接單元，其特征在于高電負性連接單元是由含N,?S,?O的芳雜組成，或5-6元芳雜環的融合環組成。

2.根據權利要求1所述的化合物，其特征在于A₁，A₂由以下電負性芳雜環組成：

????????A₁，A₂：

其中R,?R₁和R₂為H，烷烴取代，氧烷烴取代，芳雜環取代。

3.根據權利要求1所述的化合物，其特征在于高電負性連接單元由如下A₁，A₂組成：

。

4.根據權利要求2所述化合物，其特征在于A₁，A₂可由支化高電負性芳雜環組成，優選結構為：

。

5.根據權利要求1所述化合物，其特征在于高電負性連接單元可選含有交聯性功能團，優選為環氧基，丙烯基酯，氮酯。

6.一種有機半導體電子器件，其特征在于所述的有機半導體器件由以下部分組成：

一個陰極；

一個陽極；

一個夾心于陰極和陽極方向的有機半導體層，其特征是該有機半導體中含有通式（I）所述的高電負性有機半導體：

（I）

R₁，R₂為取代基：H,苯基，聯苯基，芳朵環，碳原子數小于7的烷基，烷氧基；F,?Cl，-NO_2，或?-CN。

7.根據權利要求6所述的有機半導體電子器件，其特征在于所述的高電子親和化合物作為N型半導體，應用的電子器件為一有機晶體管。