[發(fā)明專利]AlGaN-GaN異質(zhì)結(jié)歐姆接觸制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410193498.8
• 申請(qǐng)日: 2014-05-08
• 公開（公告）號(hào): CN103972069A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王沖;鐘仁駿;陳沖;何云龍;鄭雪峰;馬曉華;郝躍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28
• 代理公司: 陜西電子工業(yè)專利中心 61205
• 代理人: 王品華;朱紅星

1.一種AlGaN-GaN異質(zhì)結(jié)上歐姆接觸制作方法，包括如下步驟：

(1)對(duì)AlGaN/GaN材料進(jìn)行清洗；

(2)在清洗后的AlGaN/GaN材料表面的源、漏歐姆電極區(qū)進(jìn)行光刻，制作帶有很多通孔的光刻膠掩膜，這些通孔的面積之和為歐姆接觸電極總面積的15％～45％；通孔中露出AlGaN材料；

(3)利用干法刻蝕對(duì)光刻膠掩膜通孔中露出的AlGaN材料進(jìn)行刻蝕，得到源、漏歐姆電極區(qū)挖有很多孔的AlGaN材料，挖孔深度為5～15nm；刻蝕完成后去除光刻膠掩膜；

(4)在挖孔的整個(gè)源、漏歐姆電極區(qū)域的AlGaN材料之上，淀積Ti/Al/Ni/Au多層金屬，并進(jìn)行800～870℃退火30～60s，形成源、漏歐姆接觸電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求書1中所述的方法，其中所述步驟(1)中的對(duì)AlGaN/GaN材料進(jìn)行清洗，按如下步驟進(jìn)行：

先將AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料放置于1:5的HF溶液中浸泡30s，去除表面氧化層；

再將AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料放置于丙酮、乙醇有機(jī)溶劑中超聲清洗，去除表面沾污，并用去離子水沖洗5分鐘。

3.根據(jù)權(quán)利要求書1中所述的方法，其中所述步驟(3)中的干法刻蝕，工藝條件如下：

采用RIE反應(yīng)離子刻蝕，反應(yīng)氣體為Cl₂，其流量40sccm，

反應(yīng)室壓強(qiáng)為10mT，

電極功率為50W，

刻蝕速率為0.5nm/s。

4.根據(jù)權(quán)利要求書1中所述的方法，其中所述步驟(4)中的多層金屬淀積，是通過電子束蒸發(fā)設(shè)備進(jìn)行的，工藝條件如下：

蒸發(fā)前真空度達(dá)到10^-7Tor以下，金屬蒸發(fā)速率為0.3nm/s。

5.根據(jù)權(quán)利要求書1中所述的方法，其中所述步驟(4)中淀積Ti/Al/Ni/Au多層金屬，其厚度分別是：Ti為20～30nm，Al為150～250nm，Ni為40～60nm，Au為60～100nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求書1中所述方法，其中所述步驟(4)中的退火，使用設(shè)備為RTP快速熱退火爐，按如下步驟進(jìn)行：

首先，向退火爐中通入10min的N₂來排除空氣；

然后，20℃/s的速率升溫至所設(shè)定的溫度；

最后，以3L/s的速率向退火爐中通入N₂，按所設(shè)定的退火時(shí)間進(jìn)行退火。