[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410192987.1
• 申請(qǐng)日: 2014-05-08
• 公開（公告）號(hào): CN105097465A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供襯底；

在所述襯底上形成偽柵；

在所述偽柵的兩個(gè)側(cè)壁上均形成側(cè)墻；

對(duì)兩個(gè)所述側(cè)墻進(jìn)行擴(kuò)口處理；

完全去除所述偽柵；

在兩個(gè)所述側(cè)墻之間形成柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，進(jìn)行所述擴(kuò)口處理的步驟進(jìn)一步包括：去除所述兩個(gè)側(cè)墻中的至少一個(gè)所述側(cè)墻的第一部分，以使所述兩個(gè)側(cè)墻之間的部分或全部間隙變大，所述第一部分的所在位置位于對(duì)應(yīng)的所述側(cè)墻的背離所述襯底的一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，去除所述側(cè)墻的第一部分的步驟進(jìn)一步包括：

去除各所述側(cè)墻的第一部分，兩個(gè)所述第一部分的所在位置相對(duì)應(yīng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，去除所述側(cè)墻的第一部分的步驟進(jìn)一步包括：所述側(cè)墻在第一部分被去除之后形成導(dǎo)向面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述導(dǎo)向面為平面結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，去除所述側(cè)墻的第一部分的步驟進(jìn)一步包括：

所述第一部分的延伸長(zhǎng)度大于或等于偽柵的延伸長(zhǎng)度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，進(jìn)行所述擴(kuò)口處理的步驟在完全去除所述偽柵的步驟之前實(shí)施。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，在形成所述側(cè)墻之后并且在進(jìn)行所述擴(kuò)口處理之前還包括：

去除所述偽柵的第二部分，所述偽柵被去除所述第二部分之后的剩余部分的高度小于所述側(cè)墻的高度。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，各所述側(cè)墻均包括：層間介質(zhì)層和側(cè)壁層，所述側(cè)墻的側(cè)壁層位于該側(cè)墻的層間介質(zhì)層和所述偽柵之間，所述第一部分位于所述側(cè)壁層上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，形成所述側(cè)壁層的步驟進(jìn)一步包括：

兩個(gè)所述側(cè)壁層相對(duì)的表面彼此平行。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，各所述側(cè)壁層均包括：偏移側(cè)墻壁、主側(cè)墻層以及位于所述偏移側(cè)墻壁和所述主側(cè)墻層之間的粘附層，所述側(cè)壁層的偏移側(cè)墻壁位于該側(cè)壁層的主側(cè)墻層和所述偽柵之間，所述偏移側(cè)墻壁的高度小于所述粘附層的高度，所述第一部分位于所述粘附層上。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，形成所述柵極之后還包括：

對(duì)所述柵極和所述側(cè)墻進(jìn)行平坦化。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，采用化學(xué)機(jī)械拋光的方式進(jìn)行所述平坦化。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，采用干法刻蝕的方式進(jìn)行所述擴(kuò)口處理。