[發明專利]一種半導體器件及其制作方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201410192832.8
• 申請日: 2014-05-08
• 公開（公告）號: CN105097654B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 鄧浩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制作方法，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成層間介電層和位于所述層間介電層中的銅互連結構；

在所述銅互連結構和所述層間介電層的表面沉積形成富硅的第一界面層，且所述第一界面層包含硼元素；

采用氮氣或者氨氣處理所述第一界面層，以形成富氮的第二界面層；

在所述第二界面層上沉積形成電介質覆蓋層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第一界面層之前，還包括采用氨氣或者氮氣處理所述銅互連結構露出的頂面的步驟。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用等離子化學氣相沉積法形成所述第一界面層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述第一界面層采用的源氣體包括：四甲基硅烷/三甲基硅烷、三甲基硼、氨氣/氮氣。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一界面層的材料為富硅的SiCBN。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一界面層的厚度為5nm～10nm。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二界面層材料為富氮的SiCBN。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電介質覆蓋層材料為氮化硅或者摻碳的氮化硅。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述電介質覆蓋層采用的源氣體包括：四甲基硅烷/三甲基硅烷、氨氣/氮氣。

10.一種采用如權利要求1至9中任一項所述的方法制備獲得的半導體器件，包括：

半導體襯底；形成于所述半導體襯底之上的層間介電層和所述層間介電層中的銅互連結構；覆蓋在所述層間介電層和銅互連結構之上的富氮的界面層，其中所述界面層含有硅、硼和氮；以及形成于所述界面層之上的電介質覆蓋層。

11.根據權利要求10所述的器件，其特征在于，所述界面層為富氮的SiCBN。

12.根據權利要求10所述的器件，其特征在于，所述電介質覆蓋層為氮化硅或者摻碳的氮化硅。

13.根據權利要求10所述的器件，其特征在于，所述界面層的厚度為5～10nm。

14.一種電子裝置，其包括權利要求10-13中任一項所述的半導體器件。