[發明專利]GaN基發光二極管的制備方法無效
| 申請號： | 201410192628.6 | 申請日： | 2014-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN103956415A | 公開（公告）日： | 2014-07-30 |
| 發明（設計）人： | 黃亞軍;王莉;樊中朝;劉志強;伊曉燕 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gan 發光二極管 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種GaN基發光二極管的制備方法，包括如下步驟：
步驟1：在一襯底上依序生長緩沖層和n型GaN層；
步驟2：采用光刻的方法，在n型GaN層上制備選擇性生長掩膜；
步驟3：在去掉選擇性生長掩膜的n型GaN層的上面依序生長多量子阱層和p型GaN層；
步驟4：將n型GaN層上保留的選擇性生長掩膜刻蝕掉；
步驟5：在p型GaN層和暴露的n型GaN層上生長透明電極層；
步驟6：在p型GaN層上的透明電極層上制作金屬電極，在n型GaN層上的透明電極層上制作金屬電極，完成制備。
2.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管的制備方法，其中所述襯底為藍寶石襯底。
3.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管的制備方法，其中緩沖層為非摻雜的GaN層。
4.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管的制備方法，其中選擇性生長掩膜的材料為SiO2、SiN或SiON。
5.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管的制備方法，其中透明電極層的材料為ITO。
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