[發(fā)明專利]一種超薄晶體硅柔性太陽電池片的制造工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410192511.8
• 申請日: 2014-05-08
• 公開（公告）號: CN104037262A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉文峰;陸運章;楊曉生;姬常曉;成文
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第四十八研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 長沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 43113
• 代理人: 馬強

1.一種超薄晶體硅柔性太陽電池片的制造工藝，依次包括以下步驟：在硅片表面制絨、擴散制PN結(jié)、刻邊與去除磷硅玻璃、PECVD沉積SiN_x減反射膜、制備正面電極和鋁背場、共燒形成歐姆接觸；其特征是，在所述表面制絨與擴散制PN結(jié)之間增加了以下步驟：?

首先，通過PECVD方法在制絨后的硅片正面沉積SiN_x保護膜，控制SiN_x保護膜的膜層厚度為150-200nm，折射率控制在2.0-2.2之間；?

其次，用質(zhì)量濃度為5％-10％的氫氧化鈉溶液對正面沉積SiN_x保護膜后的硅片進行背面腐蝕減薄，腐蝕時間為20min-30min，控制硅片的厚度在50-120μm之間；最后，用質(zhì)量濃度為8％-12％的氫氟酸溶液去除硅片的正面SiN_x保護膜，反應(yīng)時間為5min-15min。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述超薄晶體硅柔性太陽電池片的制造工藝，其特征是，具體步驟為：?

(1)表面制絨：將去損傷后的硅片置于制絨液中，在80℃-90℃下反應(yīng)20-30分鐘，在硅片表面形成絨面；所述硅片為厚度130-180μm，電阻率0.5-3Ω·cm的單晶硅片；所述制絨液中含有氫氧化鈉和異丙醇，所述氫氧化鈉的質(zhì)量濃度為0.5％-1.5％，所述異丙醇的質(zhì)量濃度為5％-10％；?

(2)PECVD正面沉積SiN_x保護膜：通過PECVD方法在制絨后的硅片正面沉積SiN_x保護膜，控制SiN_x保護膜的膜層厚度為150-200nm，折射率控制在2.0-2.2之間；?

(3)背面腐蝕減薄：用質(zhì)量濃度為5％-10％的氫氧化鈉溶液對正面沉積SiN_x保護膜后的硅片進行背面腐蝕減薄，腐蝕時間為20min-30min，控制硅片的厚度在50-100μm之間；?

(4)去除正面SiN_x保護膜：用質(zhì)量濃度為8％-12％的氫氟酸溶液去除硅片的正面SiN_x保護膜，反應(yīng)時間為5min-15min；?

(5)擴散制PN結(jié)：采用三氯氧磷為液態(tài)源，液態(tài)源由N₂攜帶方式進入擴散爐，在氧氣氛圍下進行擴散，形成PN結(jié)；?

(6)刻邊與去除磷硅玻璃；?

(7)PECVD沉積SiN_x減反射膜：膜厚控制在70nm-80nm之間，折射率控制在2.0-2.2之間；?

(8)制備正面電極和鋁背場，所述鋁背場的厚度控制在1-5μm；?

(9)共燒形成歐姆接觸。?

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述超薄晶體硅柔性太陽電池片的制造工藝，其特征是，步驟(8)所述制備正面電極和鋁背場，大于80μm厚度硅片采用絲網(wǎng)印刷設(shè)備印刷正背面銀電極和鋁背場，80μm以下的厚度硅片采用噴墨打印技術(shù)非接觸打印正背面銀電極和鋁背場。?