[發明專利]利用SOI片制備MEMS器件的表面犧牲層工藝方法有效
| 申請號： | 201410191944.1 | 申請日： | 2014-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN104003349A | 公開（公告）日： | 2014-08-27 |
| 發明（設計）人： | 趙丹淇;張大成;何軍;黃賢;楊芳;田大宇;劉鵬;王瑋;李婷;羅葵 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 邵可聲 |
| 地址： | 100871 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 soi 制備 mems 器件 表面 犧牲 工藝 方法 | ||
1.一種利用SOI片制備MEMS器件的表面犧牲層工藝方法，其步驟包括：
1)在SOI基片上光刻定義MEMS器件的結構區，并刻蝕器件層單晶硅和埋氧層氧化硅至襯底表面，其中埋氧層作為第一層犧牲層；
2)在刻蝕后的襯底和單晶硅表面淀積氧化硅，作為第二層犧牲層；
3)根據MEMS器件結構光刻定義氧化硅區域，并對氧化硅進行刻蝕；
4)進行光刻，以氧化硅和光刻膠作雙層掩膜，刻蝕器件層單晶硅的隔離槽；
5)去除光刻膠，以氧化硅為掩膜刻蝕制作凸點槽和錨點槽；
6)淀積第二層結構層，并進行刻蝕以形成MEMS器件結構；
7)制作通孔和引線；
8)去掉犧牲層，釋放器件結構。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟1)所述SOI基片為低應力SOI片。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟2)所述氧化硅采用LPCVD方法淀積，其厚度根據步驟1)的光刻窗口大小確定。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟4)所述隔離槽和步驟5)所述錨點槽為環形的封閉槽。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟6)對淀積的第二層結構層進行退火處理以加入預應力。
6.如權利要求6所述的方法，其特征在于：步驟6)所述淀積第二層結構層，包括淀積氮化硅層和淀積多晶硅層，并進行多晶硅摻雜及退火處理以加入預應力，然后刻蝕氮化硅和多晶硅，形成MEMS器件的結構層。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在步驟6)形成中空的凸點。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟7)所述引線的金屬采用濺射或者蒸發的方法淀積，引線的材料為金，并增加鉻薄層以增加金屬粘附性；步驟8)采用干法釋放或濕法釋放。
9.如權利要求1～8中任一項所述的方法，其特征在于：在步驟6)之后，步驟7)之前加入淀積材料和刻蝕步驟，采用多層犧牲層工藝制備MEMS器件。
10.根據權利要求1～9中任一項所述方法制備的MEMS器件。
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