[發明專利]集成電路中RDL和TSV金屬層一次成型方法有效
| 申請號： | 201410191832.6 | 申請日： | 2014-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN103956334A | 公開（公告）日： | 2014-07-30 |
| 發明（設計）人： | 李恒甫;張文奇 | 申請（專利權）人： | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海海頌知識產權代理事務所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市菱*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 rdl tsv 金屬 一次 成型 方法 | ||
【權利要求書】：
1.集成電路中RDL?和TSV?金屬層一次成型方法，其特征在于主要包括以下步驟：
步驟一：TSV的光刻和蝕刻；
步驟二：TSV光刻膠的去除和清洗；
步驟三：TSV?絕緣層氧化物沉積；
步驟四：TSV?BARC?填充及刻蝕；
步驟五：RDL?光刻和蝕刻；
步驟六：RDL?光刻膠的去除和清洗；
步驟七：擴散阻擋層和種子層的沉積；
步驟八：金屬導電物的填充；
步驟九：表面平坦化處理。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
