[發(fā)明專利]全差分式浮地有源電感有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410191631.6 | 申請日： | 2014-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN104009722B | 公開（公告）日： | 2017-06-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張萬榮;趙飛義;陳昌麟;江之韻;胡瑞心;趙彥曉 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | H03F3/45 | 分類號： | H03F3/45;H03H11/04 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11203 | 代理人： | 劉萍 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 分式 有源 電感 | ||
1.全差分式浮地有源電感，其特征在于：包括第一控制電流源(1)和第二控制電流源(2)，第一NMOS偏置電流源(3)和第二NMOS偏置電流源(4)，NMOS差分對電路(5)，PMOS差分對電路(6)，第一PMOS電流緩沖器(7)和第二PMOS電流緩沖器(8)，第一PMOS偏置電流源(9)和第二PMOS偏置電流源(10)，反饋電阻(11)；反饋電阻(11)包括NMOS差分對電路(5)和PMOS差分對電路(6)差分支路上的兩個反饋電阻Rf1和Rf2；
第一控制電流源(1)為PMOS管，其源端接電源VDD，柵端為電壓控制端VcontP，漏端為第一控制電流源(1)的輸出；第二控制電流源(2)為NMOS管，其源端接地，柵端為電壓控制端VcontN，漏端為第二控制電流源(2)輸出；第一NMOS偏置電流源(3)和第二NMOS偏置電流源(4)的柵端接VBIAS1，源端接地，漏端為第一NMOS偏置電流源(3)和第二NMOS偏置電流源(4)的輸出；第一PMOS偏置電流源(9)和第二PMOS偏置電流源(10)的柵端接VBIAS3，源端接電源VDD，漏端為第一PMOS偏置電流源(9)和第二PMOS偏置電流源(10)的輸出；NMOS差分對電路(5)的兩個源端同接第二控制電流源(2)的漏端，兩個柵端分別接第一NMOS偏置電流源(3)和第二NMOS偏置電流源(4)的輸出，兩個漏端分別接反饋電阻Rf1和Rf2的一端，其中兩個柵端分別引出兩個浮地端口Vin+和Vin-；第一PMOS電流緩沖器(7)和第二PMOS電流緩沖器(8)，其柵端接VBIAS2，源端分別接第一PMOS偏置電流源(9)和第二PMOS偏置電流源(10)的漏端，漏端分別接浮地端口Vin+和Vin-；PMOS差分對電路(6)采用直接交叉耦合結(jié)構(gòu)的連接方式，其源端同接第一控制電流源(1)的漏輸出端，兩個柵端分別接第一PMOS電流緩沖器(7)和第二PMOS電流緩沖器(8)的源端以及Rf1和Rf2的另一端，即PMOS差分對電路(6)和NMOS差分對電路(5)通過反饋電阻(11)連接起來；PMOS差分對電路(6)的兩個漏端交叉分別連接反饋電阻Rf2和Rf1的另一端；所有的NMOS襯底接地，所有的PMOS襯底接源端。
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