[發(fā)明專利]測(cè)量系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410191537.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-05-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104142482B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | K·黑貝勒;J·弗蘭克;O·布賴特維澤爾;T·考夫曼 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 邁克納斯公司 |
| 主分類號(hào): | G01R33/02 | 分類號(hào): | G01R33/02;G01R33/07 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司72002 | 代理人: | 曾立 |
| 地址: | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 測(cè)量 系統(tǒng) | ||
1.一種測(cè)量系統(tǒng),所述測(cè)量系統(tǒng):
具有用于產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁體裝置(20,50,60),
具有用于檢測(cè)所述磁場(chǎng)至少在第一空間方向(y)上的磁通密度(By)的磁場(chǎng)傳感器(31,32),其中,所述磁場(chǎng)傳感器(31,32)相對(duì)于所述磁體裝置(20,50,60)固定地定位,
其特征在于,
所述磁體裝置(20,50,60)具有用于產(chǎn)生主磁場(chǎng)的至少兩個(gè)主極(NH,SH)和用于產(chǎn)生旁磁場(chǎng)的至少兩個(gè)旁極(NN1,SN1,NN2,SN2,NN3,SN3);
在所述磁場(chǎng)傳感器(31,32)中,所述磁場(chǎng)通過(guò)所述主磁場(chǎng)與所述旁磁場(chǎng)的疊加構(gòu)成;
所述磁場(chǎng)傳感器(31,32)構(gòu)造用于,在所述第一空間方向(y)上測(cè)量所述疊加的磁通密度(By);
在所述磁場(chǎng)傳感器(31,32)中,所述旁磁場(chǎng)在所述第一空間方向(y)上至少部分地補(bǔ)償所述主磁場(chǎng)。
2.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的測(cè)量系統(tǒng),其特征在于,所述磁體裝置(60)具有第一永久磁體(61)和第二永久磁體(62),所述第一永久磁體具有兩個(gè)用于產(chǎn)生所述主磁場(chǎng)的主極(NH,SH),所述第二永久磁體具有兩個(gè)用于產(chǎn)生所述旁磁場(chǎng)的旁極(NN1,SN1)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)量系統(tǒng),其特征在于,所述第二永久磁體(62)具有與所述第一永久磁體(61)相反定向的極性。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3中任一項(xiàng)所述的測(cè)量系統(tǒng),其特征在于,所述第二永久磁體(62)具有比所述第一永久磁體(61)更小的尺寸。
5.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的測(cè)量系統(tǒng),其特征在于,
所述磁體裝置(20,50)具有第一永久磁體(20,50),所述第一永久磁體具有兩個(gè)用于產(chǎn)生所述主磁場(chǎng)的主極(NH,SH);
所述第一永久磁體(20,50)具有至少一個(gè)凹部(21,51,52,53),所述至少一個(gè)凹部具有兩個(gè)用于產(chǎn)生所述旁磁場(chǎng)的旁極(NN1,SN1,NN2,SN2,NN3,SN3)。
6.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的測(cè)量系統(tǒng),其特征在于,所述旁極(NN1,SN1,NN2,SN2,NN3,SN3)的極面與所述主極(NH,SH)的極面平行地構(gòu)造。
7.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的測(cè)量系統(tǒng),其特征在于,所述旁極(NN1,SN1)的極面與所述主極(NH,SH)的極面成一個(gè)角度地非平行地構(gòu)造。
8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的測(cè)量系統(tǒng),其特征在于用于改變?cè)谒龃艌?chǎng)傳感器(31,32)的區(qū)域中在所述第一空間方向(y)上的磁通密度(By)的探測(cè)器(40)。
9.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的測(cè)量系統(tǒng),其特征在于,所述磁體裝置(20,50,60)與所述磁場(chǎng)傳感器(31,32)集成在組件殼體(1)中,其中,所述組件殼體(1)構(gòu)造用于安裝在電路載體上。
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