[發(fā)明專利]一種硅通孔的結(jié)構(gòu)及其制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201410191475.3
• 申請日: 2014-05-07
• 公開（公告）號: CN105097653A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭超;陳政;王偉
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種硅通孔的制作方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成有硅通孔凹槽，其中在所述硅通孔凹槽的底部中心區(qū)域形成有立柱，所述硅通孔凹槽的形成方法包括：

在所述半導(dǎo)體襯底表面上形成第一掩膜層；

圖案化所述第一掩膜層，以形成與所述立柱圖案對應(yīng)的立柱掩膜；

在所述半導(dǎo)體襯底表面形成第二掩膜層，所述第二掩膜層具有對應(yīng)于所述硅通孔凹槽的開口圖案；

以圖案化的所述第一掩膜層和第二掩膜層為掩膜，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，停止于預(yù)定深度處；

去除所述第一掩膜層和所述第二掩膜層；

在所述半導(dǎo)體襯底表面形成第三掩膜層，所述第三掩膜層具有對應(yīng)于所述硅通孔凹槽的開口圖案，以所述第三掩膜層為掩膜，繼續(xù)刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，以形成硅通孔凹槽；

采用電化學(xué)鍍的方式，在所述硅通孔凹槽中填充金屬材料。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述立柱高度小于或等于所述硅通孔凹槽高度的二分之一。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述硅通孔凹槽中填充金屬材料之前，還包括在所述硅通孔凹槽中形成隔離層的步驟。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在填充所述金屬材料之前，還包括在所述硅通孔凹槽的底部和側(cè)壁以及所述立柱的四周表面上依次形成粘附層和種子層的步驟。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬材料為銅。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜層為氧化物硬掩膜層。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用深反應(yīng)離子刻蝕進(jìn)行所述刻蝕。

8.一種采用1-7之一所述的方法制備獲得的硅通孔結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底以及位于所述半導(dǎo)體襯底中的硅通孔，所述硅通孔底部中心區(qū)域形成有立柱。

9.如權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述立柱高度小于或等于所述硅通孔高度的二分之一。

10.如權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述立柱的材料為硅。