[發明專利]一種晶硅硅片缺陷檢測設備的透光性檢測單元

有效

• 申請號: 201410191377.X
• 申請日: 2014-05-08
• 公開（公告）號: CN104020178A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 楊偉強;鄭淑剛;郭愛軍;魏紅軍
• 申請（專利權）人: 晶澳太陽能有限公司
• 主分類號: G01N21/95
• 分類號: G01N21/95;G01B11/00;G01B11/24
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波;侯莉

1.一種晶硅硅片缺陷檢測設備的透光性檢測單元，其特征在于：它包括用于連接中央處理單元的光電耦合器和能夠發出波長為400nm以上光線的光源，所述光源和光電耦合器分設于待檢測硅片的兩側，所述光電耦合器的感光口和所述光源的出光口相對，所述光源照射所述硅片的一側面，所述光電耦合器接收來自硅片另一側面的光信號，并將光信號轉換為電信號后輸出以便對該電信號進行處理和分析，從而獲得缺陷數據。

2.根據權利要求1所述的晶硅硅片缺陷檢測設備的透光性檢測單元，其特征在于：所述缺陷數據包括硅片外形尺寸、邊緣殘缺規格、孔洞尺寸及數量信息。

3.根據權利要求2所述的晶硅硅片缺陷檢測設備的透光性檢測單元，其特征在于：所述光源發出的光線為波長600nm以上的紅色可見光。

4.根據權利要求3所述的晶硅硅片缺陷檢測設備的透光性檢測單元，其特征在于：所述光電耦合器和所述光源均為長條形，它們均與待檢測硅片的傳送方向相垂直，所述光電耦合器的感光口和光源的出光口的長度至少等于待檢測硅片的寬度。

5.根據權利要求4所述的晶硅硅片缺陷檢測設備的透光性檢測單元，其特征在于：所述光電耦合器位于待檢測硅片的上方，所述感光口位于所述光電耦合器的底面上，所述光源位于待檢測硅片的下方，所述出光口位于所述光源的頂面上，所述待檢測硅片置于水平的傳送帶上做勻速運動。

6.根據權利要求5所述的晶硅硅片缺陷檢測設備的透光性檢測單元，其特征在于：所述光源主要由長條形燈殼和設于燈殼中的至少一列LED組成，所述燈殼的頂面開有所述出光口。

7.根據權利要求1～6任一項所述的晶硅硅片缺陷檢測設備的透光性檢測單元，其特征在于：在所述光源的兩側且靠近光源分設一對連接中央處理單元的傳感器，所述傳感器按待檢測硅片的傳送方向前后設置，前方的傳感器接收待檢測硅片進入的位置信息并傳送至中央處理單元以控制光源和光電耦合器同時開啟以便開始檢測，后方的傳感器接收待檢測硅片離開的位置信息并傳送至中央處理單元以控制光源和光電耦合器同時關閉從而完成檢測。

8.根據權利要求7所述的晶硅硅片缺陷檢測設備的透光性檢測單元，其特征在于：所述光源和光電耦合器之間的距離為5～30mm，所述待檢測硅片處于二者中間位置。