[發明專利]一種半導體器件的制造方法和半導體器件

在審

• 申請號: 201410190712.4
• 申請日: 2014-05-07
• 公開（公告）號: CN105097852A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 馮霞;黃河;劉煊杰;張海芳;吳秉寰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;趙禮杰

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

步驟S101：提供在第一表面一側形成有元器件的半導體襯底以及與所述半導體襯底相匹配的輔助基板；

步驟S102：在所述輔助基板上形成與所述半導體襯底的非器件區相對應的無機鍵合部件；

步驟S103：通過所述無機鍵合部件將所述輔助基板與所述半導體襯底的所述第一表面鍵合。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S102包括：

步驟S1021：通過CVD工藝在所述輔助基板上形成氧化硅薄膜；

步驟S1022：在所述氧化硅薄膜上形成掩膜，其中所述掩膜覆蓋所述輔助基板的與所述半導體襯底的非器件區相對應的區域；

步驟S1023：通過刻蝕去除所述氧化硅薄膜未被所述掩膜覆蓋的區域以形成無機鍵合部件，去除所述掩膜。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S1021中，形成所述氧化硅薄膜的方法包括：使用低壓化學氣相沉積法在所述輔助基板上沉積低溫氧化物層。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述無機鍵合部件的材料包括氧化硅。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S101中，所述元器件包括CMOS圖像傳感器，其中，所述CMOS圖像傳感器包括設置于所述半導體襯底上的彩色濾色膜以及設置于所述彩色濾色膜之上的微透鏡。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述輔助基板的材料包括玻璃。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S102與所述步驟S103之間還包括步驟S1023：對所述半導體襯底進行清洗。

8.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S1023包括：用去離子水對所述半導體襯底進行清洗，在氮氣環境下對所述半導體襯底作快速旋干。

9.如權利要求1至8任一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S103之后還包括步驟S104：從與所述第一表面相對的表面對所述半導體襯底進行減薄處理。

10.如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S104之后還包括步驟S105：形成貫穿所述半導體襯底的硅通孔。

11.一種半導體器件，其特征在于，包括半導體襯底以及形成于所述半導體襯底上的元器件，還包括與所述半導體襯底相匹配的輔助基板；其中，所述輔助基板與所述半導體襯底通過設置于它們之間的無機鍵合部件鍵合在一起。

12.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述無機鍵合部件的材料包括氧化硅。

13.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述元器件包括CMOS圖像傳感器，其中，所述CMOS圖像傳感器包括設置于所述半導體襯底上的彩色濾色膜以及設置于所述彩色濾色膜之上的微透鏡。

14.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述輔助基板的材料包括玻璃。

15.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括貫穿所述半導體襯底的硅通孔。