[發明專利]半導體裝置、其制造方法以及電子設備

有效

• 申請號: 201410190371.0
• 申請日: 2010-10-22
• 公開（公告）號: CN104009054A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 高橋洋;梅林拓
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 李晗;陳桂香

1.一種半導體裝置，其包括：

第一半導體部，該第一半導體部在其一側包括第一布線層；

第二半導體部，該第二半導體部在其一側包括第二布線層，該第二布線層包括電極焊盤部，所述第一半導體部和所述第二半導體部被固定到一起，使得所述第一半導體部的所述第一布線層側與所述第二半導體部的所述第二布線層側彼此面對；

第一導電材料，其設置在穿過所述第一半導體部的裝置層而延伸到所述第一半導體部的所述第一布線層中的連接點的第一凹槽部中；

第二導電材料，其設置在穿過所述第一半導體部而延伸到所述第二半導體部的所述第二布線層中的連接點的第二凹槽部中，從而所述第一布線層和所述第二布線層電連通；

絕緣膜，其各自布置在所述第一凹槽部和所述第二凹槽部的側壁上；以及

延伸穿過所述第一半導體部以使所述電極焊盤部暴露的開口。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一布線層包括銅線且所述導電材料與所述銅線接觸。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括位于所述第一半導體部的與所述第一布線層相反的一側上的所述第一半導體部中的光電二極管。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，還包括所述光電二極管和所述導電材料之間的絕緣隔離物層。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其中，所述絕緣隔離物層圍繞所述導電材料。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一半導體部和所述第二半導體部通過等離子體結合而固定到一起。

7.如權利要求3所述的半導體裝置，還包括所述第一半導體部的區域上方的遮光膜，所述遮光膜不設置在所述光電二極管的上方。

8.如權利要求3所述的半導體裝置，還包括所述光電二極管上方的防反射膜。

9.如權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述防反射膜包括氧化鉭膜或氧化鉿膜。

10.如權利要求8所述的半導體裝置，還包括所述第一半導體部和所述第二半導體部之間的應力降低膜。

11.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第二布線層包括與所述導電材料接觸的鋁線。

12.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

具有布線的安裝基板；以及

接合線，其設置在所述開口中，并連接于所述電極焊盤部，

其中，所述安裝基板的所述布線電連接于所述電極焊盤部。

13.一種制造半導體裝置的方法，其包括以下步驟：

形成第一半導體部，該第一半導體部在其一側包括第一布線層；

形成第二半導體部，該第二半導體部在其一側包括第二布線層，該第二布線層包括電極焊盤部；

將所述第一半導體部固定到所述第二半導體部，使所述第一半導體部的所述第一布線層側與所述第二半導體部的所述第二布線層側彼此面對；

在第一凹槽部中設置第一導電材料，所述第一凹槽部穿過所述第一半導體部的裝置層而延伸到所述第一半導體部的所述第一布線層中的連接點；

在第二凹槽部中設置第二導電材料，所述第二凹槽部穿過所述第一半導體部而延伸到所述第二半導體部的所述第二布線層中的連接點，從而所述第一布線層和所述第二布線層電連通；

在所述第一凹槽部和所述第二凹槽部的側壁上各自形成絕緣膜；以及

形成延伸穿過所述第一半導體部以使所述電極焊盤部暴露的開口。

14.如權利要求13所述的方法，其中，所述第一布線層包括銅線且所述導電材料與所述銅線接觸。

15.如權利要求13所述的方法，還包括在所述第一半導體部的與所述第一布線層相反的一側上的所述第一半導體部中形成光電二極管的步驟。

16.如權利要求15所述的方法，還包括在所述光電二極管和所述導電材料之間形成絕緣隔離物層的步驟。

17.如權利要求16所述的方法，其中，所述絕緣隔離物層圍繞所述導電材料。

18.如權利要求13所述的方法，其中，所述第一半導體部和所述第二半導體部通過等離子體結合而固定到一起。