[發明專利]用于驅動集成電路的金屬凸塊結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201410189747.6
• 申請日: 2014-05-06
• 公開（公告）號: CN104143539B
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 林久順
• 申請（專利權）人: 奇景光電股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種金屬凸塊結構，其用于一驅動集成電路中并包含：

金屬焊墊；

護層，位于該金屬焊墊上，并定義出位于該金屬焊墊上的一凹穴；

黏著層，完全位于該凹穴中、位于該金屬焊墊上、又部分位于該護層上，其中該黏著層直接接觸該金屬焊墊以及該護層；

金屬凸塊，填入該凹穴中并覆蓋該黏著層，且該金屬凸塊通過熟化步驟來達到所需的硬度；

覆層，完全覆蓋該金屬凸塊，而使得該金屬凸塊不會暴露出來，其中該覆層具有橫向延伸的一側翼，且該側翼位于該護層上，該覆層為一帽蓋層且該側翼為對應于該帽蓋層的一帽蓋側翼；以及

合金，其由該覆層與該金屬凸塊通過熟化步驟形成，且位于該覆層與該金屬凸塊之間。

2.如權利要求1所述的金屬凸塊結構，其中該金屬凸塊、該黏著層、與該護層間具有一嵌穴。

3.如權利要求2所述的金屬凸塊結構，其中該覆層還包括一保護層，且該側翼還包括對應于該護層的一保護側翼，且該帽蓋層夾至于該保護層與該金屬凸塊之間，而使得該保護側翼覆蓋該帽蓋側翼。

4.如權利要求3所述的金屬凸塊結構，其中該保護層由一層的金所組成。

5.如權利要求3所述的金屬凸塊結構，其中該帽蓋層填入該嵌穴中形成一T形截面，而使得該帽蓋層側翼直接接觸該黏著層。

6.如權利要求3所述的金屬凸塊結構，其中該帽蓋層由一層的鈀所組成。

7.如權利要求1所述的金屬凸塊結構，其中該金屬凸塊自行對準于該黏著層。

8.如權利要求1所述的金屬凸塊結構，其中該金屬凸塊包含銅與金其中一者。

9.如權利要求1所述的金屬凸塊結構，其中該覆層自行對準于該金屬凸塊。

10.如權利要求1所述的金屬凸塊結構，在鹵素與一高電場其中至少一者的存在下不發生迦凡尼效應。

11.如權利要求1所述的金屬凸塊結構，位于玻璃覆晶封裝結構與薄膜覆晶封裝結構其中一者中。

12.一種形成一種金屬凸塊結構的方法，而用于一驅動集成電路中，其包含：

提供一底材，其包含：

金屬焊墊；

護層，位于該金屬焊墊上，并定義出位于該金屬焊墊上的一凹穴；

黏著層，位于該凹穴中、覆蓋并直接接觸該金屬焊墊與該護層；以及

圖案化光致抗蝕劑，位于該黏著層上，并包含暴露位于該凹穴中與該護層上的該黏著層的一開口；

以一金屬凸塊材料填入該開口中；

移除該圖案化光致抗蝕劑，使得該金屬凸塊材料成為位于該黏著層上的一金屬凸塊，并熟化該金屬凸塊，以調整其硬度；

移除沒有被該金屬凸塊材料所覆蓋的該黏著層，以部分暴露位于下方的該護層；

形成一覆層，以完全覆蓋該金屬凸塊，其中形成該覆層一并形成了橫向延伸的一側翼，且該側翼位于該護層上；以及

熟化位于該金屬凸塊上的該覆層，以與該金屬凸塊形成一合金，從而防止該金屬凸塊穿出該覆層。

13.如權利要求12所述的形成一種金屬凸塊結構的方法，其中該覆層自行對準于該金屬凸塊。

14.如權利要求12所述的形成一種金屬凸塊結構的方法，其中過移除該黏著層，以形成位于該金屬凸塊、該黏著層、與該護層間的一嵌穴。

15.如權利要求14所述的形成一種金屬凸塊結構的方法，其中該覆層為一帽蓋層與一保護層其中的至少一者，且該側翼為對應于該帽蓋層與該保護層的一帽蓋側翼與一保護側翼其中的至少一者。

16.如權利要求15所述的形成一種金屬凸塊結構的方法，其中該保護層填入該嵌穴中形成一T形截面，而使得該保護側翼直接接觸該黏著層。

17.如權利要求15所述的形成一種金屬凸塊結構的方法，其中該保護層由一層的金所組成。

18.如權利要求15所述的形成一種金屬凸塊結構的方法，其中該帽蓋層填入該嵌穴中形成一T形截面，而使得該帽蓋層側翼直接接觸該黏著層。

19.如權利要求15所述的形成一種金屬凸塊結構的方法，其中該帽蓋層由一層的鈀所組成。