[發(fā)明專利]外延層形成方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410189309.X
• 申請日: 2014-05-06
• 公開（公告）號: CN103943471B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉峰松;梁博;史超;王海紅
• 申請（專利權(quán)）人: 上海先進半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L29/06
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種外延層形成方法，其特征在于，包括：

提供第一類型襯底；

對所述第一類型襯底正面執(zhí)行摻雜工藝，以在所述第一類型襯底正面形成第二類型摻雜區(qū)和未摻雜區(qū)；

在所述第一類型襯底背面形成阻擋層；

對所述第一類型襯底正面執(zhí)行外延生長工藝，以在所述第二類型摻雜區(qū)上形成第二類型外延層，在所述未摻雜區(qū)上形成第一類型外延層；

其中，在所述第一類型襯底背面形成阻擋層之后，對所述第一類型襯底正面執(zhí)行外延生長工藝之前，還包括：利用氫氣對所述第一類型襯底進行吹掃，利用氫氣對所述第一類型襯底進行吹掃的時間為300s～1000s；

所述第一類型襯底的電阻率為10mohm·cm～100mohm·cm；

對所述第一類型襯底正面執(zhí)行摻雜工藝包括：對所述第一類型襯底正面執(zhí)行摻雜離子的注入；對所述第一類型襯底正面的摻雜離子進行推進；所述摻雜離子的注入劑量為1E¹⁵/cm²～1E¹⁶/cm²；對所述第一類型襯底正面的摻雜離子進行推進的工藝溫度為1000℃～1100℃，工藝時間為20分鐘～40分鐘；

在減壓外延爐中對所述第一類型襯底正面執(zhí)行外延生長工藝；對所述第一類型襯底正面執(zhí)行外延生長工藝的工藝溫度為1050℃～1150℃，壓力為20Torr～30Torr。

2.如權(quán)利要求1所述的外延層形成方法，其特征在于，所述阻擋層包括形成于所述第一類型襯底背面的氧化層以及形成于所述氧化層表面的氮化硅層。

3.如權(quán)利要求1所述的外延層形成方法，其特征在于，所述第一類型為P型，所述第二類型為N型；或者，所述第一類型為N型，所述第二類型為P型。

4.如權(quán)利要求3所述的外延層形成方法，其特征在于，當所述第一類型為P型，所述第二類型為N型時，所述第一類型襯底中摻有硼，所述第二類型摻雜區(qū)中摻有磷。

5.如權(quán)利要求3所述的外延層形成方法，其特征在于，當所述第一類型為N型，所述第二類型為P型時，所述第一類型襯底中摻有砷，所述第二類型摻雜區(qū)中摻有硼。