[發明專利]半導體裝置的量測方法、蝕刻方法及形成方法有效
| 申請號： | 201410189159.2 | 申請日： | 2014-05-06 |
| 公開（公告）號： | CN105097579B | 公開（公告）日： | 2018-04-13 |
| 發明（設計）人： | 周耀輝 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L21/28;H01L27/115 |
| 代理公司： | 無錫互維知識產權代理有限公司32236 | 代理人： | 龐聰雅 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 方法 蝕刻 形成 | ||
1.一種半導體裝置的量測方法，其中，所述半導體裝置是將有機抗反射層作為蝕刻阻擋層進行干法蝕刻所獲得，其特征在于，所述方法包括：
在預設溫度下、預設時間內熱處理所述半導體裝置；
量測機臺對所述熱處理后的半導體裝置作光學式關鍵尺寸量測；其中，在所述熱處理的過程中，半導體裝置中的光阻本身含有的溶劑及水分被揮發，所述光阻表面形成不會發生電子吸附的外殼。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置的量測方法，其特征在于，所述預設溫度為110攝氏度。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置的量測方法，其特征在于，所述預設時間為40秒。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置的量測方法，其特征在于，所述半導體裝置為0.18um電可擦可編程只讀存儲器。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置的量測方法，其特征在于，所述干法蝕刻包括采用蝕刻氣體進行蝕刻。
6.一種半導體裝置蝕刻方法，其特征在于，包括：
(1)提供半導體裝置，所述半導體裝置包括有機抗反射層；
(2)在所述半導體裝置沉積形成高壓柵氧化層；
(3)曝光、顯影經步驟(2)后的半導體裝置；
(4)將所述有機抗反射層作為蝕刻阻擋層，對經步驟(3)后的半導體裝置作干法蝕刻步驟；
(5)通過如權利要求1至5中任一項的半導體裝置的量測方法對經步驟(4)后的半導體裝置量測；
(6)對量測合格的半導體裝置進行濕法蝕刻步驟；
(7)在濕法蝕刻步驟后的半導體裝置沉積形成低壓柵氧化層。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置蝕刻方法，其特征在于，所述步驟(6)之后還包括：
重復步驟(5)中半導體裝置的量測方法對經過濕法蝕刻步驟的半導體裝置量測；對量測合格的半導體裝置進行步驟(7)。
8.一種半導體裝置形成方法，其特征在于，包括如權利要求6或7所述的半導體裝置蝕刻方法。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫華潤上華科技有限公司，未經無錫華潤上華科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410189159.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種遮擋盤及反應腔室
- 下一篇：一種高可靠性晶圓級焊錫微凸點制作方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
