[發明專利]具有微米孔的網狀薄膜及制造方法

無效

• 申請號: 201410188821.2
• 申請日: 2014-05-07
• 公開（公告）號: CN103935957A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 文力
• 申請（專利權）人: 文力
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00;B82B1/00
• 代理公司: 成都立信專利事務所有限公司 51100
• 代理人: 江曉萍

1.具有微米孔的網狀薄膜，其特征在于網狀薄膜中有作為連續體的帶通透的微米孔的金屬和/或陶瓷骨架，微米孔孔徑為0.5μm～250μm，網狀薄膜厚度為20μm～0.5mm，網狀薄膜是在真空腔體內由電子束蒸發金屬和/或陶瓷及制孔劑氯化鈉沉積到基板上，再水中浸取除去制孔劑形成網狀薄膜。

2.如權利要求1所述的具有微米孔的網狀薄膜，其特征在于作為連續體的帶通透的微米孔的金屬和/或陶瓷骨架上布滿了納米金屬和/或陶瓷骨架。

3.如權利要求1或2所述的具有微米孔的網狀薄膜，其特征在于帶通透的微米孔的金屬骨架或納米金屬骨架是采用鋁、鎂、鋅、鈦、鎳、鈷、鐵、釩、不銹鋼、錳、鋯、鉑、鈀、銠、銥、銅、稀土金屬及它們的合金中的至少一種制成。

4.如權利要求1或2所述的具有微米孔的網狀薄膜，其特征在于帶通透的微米孔的陶瓷骨架或納米陶瓷骨架是采用碳化硅、氮化硅、鈦酸鋁、鋁硅酸、莫來石、堇青石、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、二氧化硅、氮氧化硅、羥基磷灰石、磷酸三鈣、二硫化鉬中的至少一種制成。

5.如權利要1或2所述的具有微米孔的網狀薄膜，其特征在于網狀薄膜是沉積在基板上，基板是金屬板或陶瓷板或片材或有孔網孔洞的網狀材料。

6.如權利要求1所述的具有微米孔的網狀薄膜的制造方法，其特征在于該方法是在真空腔室內由功率大于10千瓦的電子束蒸發金屬和/或陶瓷及制孔劑NaCl，使之沉積到作往復運動或旋轉運動的基板上形成薄膜，用水浸取薄膜除去制孔劑NaCl后形成帶通透的微米孔的金屬和/或陶瓷材料作為連續體骨架的網狀薄膜，金屬和/或陶瓷、制孔劑NaCl沉積到基板上的體積比為1?～5∶1。

7.如權利要求6所述的具有微米孔的網狀薄膜的制造方法，其特征在于由電子束蒸發金屬和/或陶瓷及制孔劑NaCl沉積到基板上的網狀薄膜上或具有通透微米孔骨架的網狀薄膜上，金屬和/或陶瓷與制孔劑NaCl沉積體積比為2～5∶1，將具有通透的微米孔骨架的網狀膜薄用水浸取除去制孔劑NaCl后形成具有通透的微米孔的金屬和/或陶瓷骨架和分布在具有通透的微米孔金屬和/或陶瓷骨架上的納米金屬和/或陶瓷骨架的網狀薄膜。

8.如權利要求6所述的具有微米孔的網狀薄膜的制造方法，其特征在于金屬和/或陶瓷、制孔劑NaCl是由電子束共同蒸發沉積到基板或網狀薄膜上，其中至少一種金屬和/或陶瓷材料與制孔劑NaCl在一個共同蒸汽上升通道即共同為一個真空蒸發沉積腔室空間。

9.如權利要求6或7或8所述的具有微米孔的網狀薄膜的制造方法，其特征在于基板或網狀薄膜形狀為帶狀或塊狀，能在至少一個真空蒸發沉積腔室內前進后退或旋轉作往復運動，電子束蒸發的材料在基板或網狀薄膜上實現分別蒸發、分層重疊和往復沉積和/或幾種材料共蒸發重疊且往復沉積到基板或網狀薄膜上。

10.如權利要求6或7或8所述的具有微米孔的網狀薄膜的制造方法，其特征在于在真空腔室內，預先在基板上沉積一層用于分離薄膜的低表面能氟化鈣膜層。