[發明專利]薄膜晶體管陣列基板制造方法及薄膜晶體管陣列基板

有效

• 申請號: 201410188477.7
• 申請日: 2014-05-06
• 公開（公告）號: CN103985716B
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發明（設計）人: 戴天明
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300
• 代理人: 刁文魁,唐秀萍

1.一種薄膜晶體管陣列基板制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步驟：

提供一基板；

于所述基板上形成一多晶硅層；

于所述多晶硅層中形成一漏極摻雜區及一源極摻雜區；

于所述多晶硅層上沉積一柵極絕緣層；

于所述柵極絕緣層上形成一金屬氧化物層；

于所述金屬氧化物層上形成一柵極金屬層；

使用一第一光罩對所述柵極金屬層進行蝕刻以定義一柵極；

以所述柵極作為一第二光罩蝕刻掉所述第二光罩范圍以外的所述金屬氧化物層；

以所述柵極與剩余的所述金屬氧化物層作為一第三光罩進行一離子植入以分別形成輕摻雜漏極區于所述多晶硅層兩側，使所述柵極與所述金屬氧化物層覆蓋范圍相同且并未覆蓋所述輕摻雜漏極區；

于所述柵極與所述柵極絕緣層上形成絕緣層，分別定義所述多晶硅層的源極摻雜區和漏極摻雜區上方的一過孔；

于所述絕緣層上沉積一金屬層，并定義一源極及一漏極，所述源極及所述漏極分別通過所述過孔與所述源極摻雜區和所述漏極摻雜區相連。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板制造方法，其特征在于，在所述基板上形成所述多晶硅層之前更可包括形成一緩沖層的步驟。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板制造方法，其特征在于，形成所述漏極摻雜區及所述源極摻雜區為以磷離子植入于所述多晶硅層形成。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板制造方法，其特征在于，對所述柵極金屬層進行蝕刻為采用一干蝕刻程序以蝕刻掉所述第一光罩以外的柵極金屬層以形成所述柵極，對所述金屬氧化物層進行蝕刻為采用一濕蝕刻程序并以所述柵極作為第二光罩蝕刻掉所述第二光罩以外的金屬氧化物層。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板制造方法，其特征在于，所述柵極絕緣層為一氧化硅層、一氮化硅層或為兩者層迭結構。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板制造方法，其特征在于，所述金屬氧化物層的材質為氧化銦錫。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板制造方法，其特征在于，所述金屬氧化物層與所述柵極間的尺寸偏差小于0.3um。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板制造方法，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板適用于有機發光二極管顯示器。

9.一種薄膜晶體管陣列基板，包括：

一基板，所述基板上具有一多晶硅層，所述多晶硅層上具有一柵極絕緣層，所述柵極絕緣層上具有一柵極，所述多晶硅層具一漏極摻雜區及一源極摻雜區，所述多晶硅層兩側各具有一輕摻雜漏極區，所述柵極與所述柵極絕緣層上具一絕緣層，分別于所述多晶硅層的源極摻雜區和漏極摻雜區上方形成一過孔，于所述絕緣層上沉積一金屬層，所述金屬層具一源極及一漏極，所述源極及所述漏極分別通過所述過孔與所述源極摻雜區和所述漏極摻雜區相連，其特征在于，所述柵極與柵極絕緣層間具一金屬氧化物層，所述柵極與所述金屬氧化物層覆蓋范圍相同且并未覆蓋所述輕摻雜漏極區。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述基板與所述多晶硅層間更可包括一緩沖層。

11.根據權利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物層的材質為氧化銦錫。

12.根據權利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物層與所述柵極間的尺寸偏差小于0.3um。