[發明專利]一種半導體器件及其制備方法、電子裝置有效
| 申請號： | 201410188472.4 | 申請日： | 2014-05-06 |
| 公開（公告）號： | CN105097811B | 公開（公告）日： | 2018-07-20 |
| 發明（設計）人： | 陳亮 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11524 | 分類號： | H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 高偉;馮永貞 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 及其 制備 方法 電子 裝置 | ||
1.一種半導體器件的制備方法，包括：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有若干個包括浮柵結構和掩膜層的疊層，在相鄰的所述疊層之間形成有向下延伸至所述半導體襯底中的淺溝槽隔離結構；
去除所述掩膜層，以露出所述浮柵結構和所述淺溝槽隔離結構中的孔洞；
沉積具有低臺階覆蓋能力的犧牲材料層，以完全填充露出的所述孔洞并覆蓋所述浮柵結構；
去除部分所述犧牲材料層，以再次露出所述浮柵結構；
去除剩余的所述犧牲材料層和所述淺溝槽隔離結構中的部分氧化物，以露出所述浮柵結構的部分側壁。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有低臺階覆蓋能力的所述犧牲材料層包括低壓正硅酸乙酯。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，選用濕法蝕刻去除部分所述犧牲材料層。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，選用干法蝕刻去除剩余的所述犧牲材料層和所述淺溝槽隔離結構中的部分氧化物。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在露出所述浮柵結構的部分側壁之后，所述方法還進一步包括執行濕法清洗的步驟。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述濕法清洗步驟中選用DHF。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜層選用SiN。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述疊層和淺溝槽隔離結構的方法包括：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成浮柵層和掩膜層；
圖案化所述浮柵層、所述掩膜層和所述半導體襯底，以形成若干相互隔離的所述疊層以及位于所述疊層之間的淺溝槽；
在所述淺溝槽中填充隔離材料，以形成所述淺溝槽隔離結構。
9.一種基于權利要求1至8之一所述的方法制備得到的半導體器件。
10.一種電子裝置，包括權利要求9所述的半導體器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
