[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410188400.X | 申請(qǐng)日： | 2014-05-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104143973B | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-08-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | G·諾鮑爾;C·卡陶;D·迪布拉;R·伊玲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K17/687 | 分類號(hào)： | H03K17/687;H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 奧地利*** | 國(guó)省代碼： | 奧地利;AT |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種包括控制元件和集成電路的開(kāi)關(guān)部件，所述集成電路包括：
第一晶體管元件，所述第一晶體管元件包括：
第一晶體管，所述第一晶體管的柵極電極安置在半導(dǎo)體襯底的第一主表面中的第一溝槽中；以及
第一柵極導(dǎo)電線，所述第一柵極導(dǎo)電線與所述第一溝槽中的所述柵極電極接觸；和
第二晶體管元件，所述第二晶體管元件并聯(lián)地電連接到所述第一晶體管元件，所述第二晶體管元件包括：
第二晶體管，所述第二晶體管的柵極電極安置在所述第一主表面中的第二溝槽中；以及
第二柵極導(dǎo)電線，所述第二柵極導(dǎo)電線與所述第二溝槽中的所述柵極電極接觸，
其中所述第一溝槽和所述第二溝槽布置在所述第一主表面的不同區(qū)域處，并且
其中所述控制元件配置為控制施加到所述第二柵極導(dǎo)電線的電勢(shì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)部件，其中所述第一晶體管元件和所述第二晶體管元件電耦合到公共源極端子和公共漏極端子，并且所述控制元件配置為基于所述公共源極端子與所述公共漏極端子之間的電勢(shì)來(lái)控制施加到所述第二柵極導(dǎo)電線的所述電勢(shì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的開(kāi)關(guān)部件，其中所述控制元件配置為當(dāng)所述公共源極端子與所述公共漏極端子之間的所述電勢(shì)大于第一開(kāi)關(guān)電壓時(shí)關(guān)斷所述第二晶體管元件，并且當(dāng)所述公共源極端子與所述公共漏極端子之間的所述電勢(shì)小于第二開(kāi)關(guān)電壓時(shí)導(dǎo)通所述第二晶體管元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)部件，其中所述第一晶體管元件和所述第二晶體管元件電耦合到公共源極端子和公共漏極端子，所述第一溝槽中的柵極電極與第一柵極導(dǎo)電線接觸，所述第一柵極導(dǎo)電線與第一柵端子電連接，并且所述控制元件配置為基于所述第一柵端子與所述公共漏極端子之間的電勢(shì)來(lái)控制施加到所述第二柵極導(dǎo)電線的所述電勢(shì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的開(kāi)關(guān)部件，其中所述控制元件配置為當(dāng)所述第一柵端子與所述公共漏極端子之間的所述電勢(shì)大于第一開(kāi)關(guān)電壓時(shí)關(guān)斷所述第二晶體管元件，并且當(dāng)所述第一柵端子與所述公共漏極端子之間的所述電勢(shì)小于第二開(kāi)關(guān)電壓時(shí)導(dǎo)通所述第二晶體管元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)部件，其中所述第一晶體管元件和所述第二晶體管元件電耦合到公共源極端子和公共漏極端子，所述第一溝槽中的柵極電極與第一柵極導(dǎo)電線接觸，所述第一柵極導(dǎo)電線與第一柵端子電連接，并且所述控制元件配置為基于所述第一柵端子與所述公共漏極端子之間的電勢(shì)、并進(jìn)一步基于所述公共源極端子與所述公共漏極端子之間的電勢(shì)來(lái)控制施加到所述第二柵極導(dǎo)電線的所述電勢(shì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)部件，其中所述控制元件是所述集成電路的部件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)部件，其中所述控制元件是與所述集成電路分開(kāi)的部件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)部件，其中所述第一和第二溝槽以交替的方式布置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)部件，其中所述第一和第二溝槽在結(jié)構(gòu)上相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)部件，其中所述控制元件的部件在所述半導(dǎo)體襯底中形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)部件，進(jìn)一步包括電流傳感器，其中所述控制元件配置為基于從所述電流傳感器所輸出的信號(hào)來(lái)設(shè)定施加到所述第二柵極導(dǎo)電線的所述電勢(shì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的開(kāi)關(guān)部件，其中所述控制元件配置為當(dāng)由所述電流傳感器所測(cè)量的電流超過(guò)開(kāi)關(guān)電流時(shí)關(guān)斷所述第二晶體管元件。
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