[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201410188302.6
• 申請日: 2014-05-06
• 公開（公告）號: CN104143595B
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 崔宰熏;崔榮宰
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/12
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;李玉鎖

公開了一種發光器件，該發光器件包括：襯底；緩沖層，位于襯底上；第一導電層，位于緩沖層上；有源層，位于第一導電層上；以及第三導電半導體層，位于有源層上，其中該第一導電層包括：第一導電半導體層，包括具有拉伸應力的第一摻雜劑；以及第二導電半導體層，設置在第一導電半導體層上并包括具有壓縮應力的第二摻雜劑。

相關申請的交叉引用

本申請要求保護第10-2013-0050798號韓國專利申請(于2013年5月6日提交)，其通過引用整體并入此處。

技術領域

實施例涉及一種發光器件。

背景技術

使用化合物半導體的各種電子器件或發光器件得到了發展。

電子器件可以包括太陽能電池、光探測器或電力器件。

這種電子器件或發光器件可以基于半導體襯底來制造。半導體襯底包括生長襯底和自生長襯底生長的化合物半導體層。

在這種半導體襯底中，由于生長襯底與化合物半導體層之間的晶格失配和差異，因而可能引起各種缺陷。

根據現有技術，由于生長襯底與化合物半導體層之間的晶格常數差異，因而在半導體襯底中引起錯位，使得結晶度惡化。

另外，由于生長襯底與化合物半導體層的熱膨脹系數之間的差異，因而會生成應變，使得因該應變而在化合物半導體層中產生裂痕或使得生長襯底被損壞。

根據現有技術，由于在半導體襯底的化合物半導體層中會產生裂痕，難以厚實地生長執行品質優良的發光器件或電子器件的實用功能的半導體層。

發明內容

實施例提供一種能夠通過防止錯位而提高結晶度的半導體襯底。

實施例提供一種能夠通過控制應變來防止裂痕而提高產量的半導體襯底。

實施例提供一種能夠通過摻雜高濃度摻雜劑而提高發光器件或電子器件的電學性質和光學性質的半導體襯底。

實施例提供一種發光器件。

實施例提供一種使用半導體襯底的電子器件。

根據實施例，提供了一種發光器件，該發光器件包括：襯底；緩沖層，位于該襯底上；第一導電層，位于該緩沖層上；有源層，位于該第一導電層上；以及第三導電半導體層，位于該有源層上，其中該第一導電層包括：第一導電半導體層，包括具有拉伸應力的第一摻雜劑；以及第二導電半導體層，設置在該第一導電半導體層上并包括具有壓縮應力的第二摻雜劑。

附圖說明

圖1為示出根據第一實施例的半導體襯底的剖視圖。

圖2為示出在圖1的半導體襯底中阻擋錯位的視圖。

圖3為示出在圖1的半導體襯底中的應變控制的視圖。

圖4A為示出包括Si的半導體層的視圖。

圖4B為示出包括Ge的半導體層的表面狀態的視圖。

圖5為示出根據第二實施例的半導體襯底的剖視圖。

圖6為示出根據第三實施例的半導體襯底的剖視圖。

圖7為示出根據第四實施例的半導體襯底的剖視圖。

圖8為示出根據第五實施例的半導體襯底的剖視圖。

圖9為示出圖8的半導體襯底中的Si和Ge的濃度分布的第一示例的視圖。

圖10為示出圖8的半導體襯底中的Si和Ge的濃度分布的第二示例的視圖。