[發明專利]基于二維層狀材料的SOI基微環濾波器

無效

• 申請號: 201410188123.2
• 申請日: 2014-05-06
• 公開（公告）號: CN103941345A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 鮑橋梁;李鵬飛;李紹娟;甘勝;孫甜
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: G02B6/293
• 分類號: G02B6/293
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 劉懿

1.基于二維層狀材料的SOI基微環濾波器，其特征在于：包括一個由埋氧層（31）和頂層硅（32）組成的SOI襯底（3），所述頂層硅（32）上設置有一組SOI微環諧振腔（1）、輸入直波導（9）和輸出直波導（10），所述輸入直波導（9）和所述輸出直波導（10）分別位于所述SOI微環諧振腔（1）的上下兩側，構成SOI波導結構；所述SOI波導結構上覆蓋有一個二維層狀材料（2），所述輸入直波導（9）的兩端分別設有輸入端光柵（4）和直通端光柵（5），所述輸出直波導（10）的一端設有輸出端光柵（6）；所述SOI微環諧振腔（1）與所述輸入直波導（9）最接近的區域形成第一耦合區域（7），所述SOI微環諧振腔（1）與所述輸出直波導（10）最接近的區域形成第二耦合區域（8）。

2.根據權利要求1所述的基于二維層狀材料的SOI基微環濾波器，其特征在于：所述SOI微環諧振腔（1）由單個SOI微環或多個SOI微環組成，利用諧振特性對光信號進行濾波處理。

3.根據權利要求1所述的基于二維層狀材料的SOI基微環濾波器，其特征在于：所述二維層狀材料（2）鋪設在所述SOI微環諧振腔的微環（1）上，或鋪設在所述輸出端光柵（6）的所述輸出直波導（10）上，利用所述二維層狀材料（2）的飽和吸收效應對光信號進行處理，優化信號輸出。

4.根據權利要求3所述的基于二維層狀材料的SOI基微環濾波器，其特征在于：所述二維層狀材料（2）是具有飽和吸收效應的二維材料，包括石墨烯、石墨炔、類石墨烯衍生物、硅烯、六方氮化硼、過渡金屬硫化物、二維黑磷和拓撲絕緣體；這些所述的二維材料利用其與光信號作用后的飽和吸收效應，對光信號進行處理，對濾波器的濾波性能起到了提升作用。

5.根據權利要求4所述的基于二維層狀材料的SOI基微環濾波器，其特征在于：所述過渡金屬硫化物為MoS₂、WS₂或WSe₂。