[發明專利]高崩潰電壓金屬?絕緣體?金屬電容器有效
| 申請號： | 201410187531.6 | 申請日： | 2014-05-06 |
| 公開（公告）號： | CN105097959B | 公開（公告）日： | 2017-12-05 |
| 發明（設計）人： | 花長煌;劭耀亭;許政慶;朱文慧 | 申請（專利權）人： | 穩懋半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/92 | 分類號： | H01L29/92;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京匯智英財專利代理事務所(普通合伙)11301 | 代理人： | 劉祖芬 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 崩潰 電壓 金屬 絕緣體 電容器 | ||
1.一種高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器，應用于復合半導體集成電路，其特征包括：
一基板；
一隔離層，形成于該基板之上；
一第一金屬層，形成于該隔離層之上；
一介電材料層，形成于該第一金屬層之上，其中該介電材料層是由復數層二氧化鉿層與復數層二氧化硅層交替堆疊而成；
一粘合層，形成于該介電材料層之上；以及
一第二金屬層，形成于該粘合層之上；
其中該復數層二氧化鉿層的每一層的厚度大于30?且小于100?，借此使得該復數層二氧化鉿層的每一層的二氧化鉿的漏電流降低以及崩潰電壓提高且同時保有高電容密度；
且由該復數層二氧化鉿層與該復數層二氧化硅層交替堆疊而成的該介電材料層的厚度大于500?，借此使得該高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器的崩潰電壓提高至50V以上。
2.根據權利要求1所述的高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器，其特征在于：該介電材料層的厚度大于500?且小于1000?。
3.根據權利要求1所述的高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器，其特征在于：該復數層二氧化硅層的每一層的厚度大于5?且小于50?。
4.根據權利要求1所述的高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器，其特征在于：該復數層二氧化鉿層的總厚度大于450?且小于800?。
5.根據權利要求1所述的高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器，其特征在于：該復數層二氧化硅層的總厚度大于50?且小于200?。
6.根據權利要求1所述的高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器，其特征在于：該復數層二氧化硅層的總厚度占該介電材料層的厚度的比例大于5%且小于25%。
7.一種高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器，應用于復合半導體集成電路，其特征包括：
一基板；
一隔離層，形成于該基板之上；
一第一金屬層，形成于該隔離層之上；
一介電材料層，形成于該第一金屬層之上，其中該介電材料層是由復數層二氧化鉿層與復數層間隔介電層交替堆疊而成；
一粘合層，形成于該介電材料層之上；以及
一第二金屬層，形成于該粘合層之上；
其中該復數層間隔介電層的每一層為一二氧化硅層或一氧化鋁層，其中該復數層間隔介電層包括至少一二氧化硅層以及至少一氧化鋁層；
而其中該復數層二氧化鉿層的每一層的厚度大于30?且小于100?，借此使得該復數層二氧化鉿層的每一層的二氧化鉿的漏電流降低以及崩潰電壓提高且同時保有高電容密度；
且由該復數層二氧化鉿層與該復數層間隔介電層交替堆疊而成的該介電材料層的厚度大于500?，借此使得該高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器的崩潰電壓提高至50V以上。
8.根據權利要求7所述的高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器，其特征在于：該介電材料層的厚度大于500?且小于1000?。
9.根據權利要求7所述的高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器，其特征在于：該復數層間隔介電層的每一層的厚度大于5?且小于100?。
10.根據權利要求7所述的高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器，其特征在于：該復數層二氧化鉿層的總厚度大于450?且小于800?。
11.根據權利要求7所述的高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器，其特征在于：該復數層間隔介電層的總厚度大于50?且小于300?。
12.根據權利要求7所述的高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器，其特征在于：該復數層間隔介電層的總厚度占該介電材料層的厚度的比例大于5%且小于35%。
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