[發(fā)明專利]一種殼聚糖修飾的pH響應(yīng)性載藥緩控釋材料及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410187433.2 | 申請日: | 2014-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN103920153A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 祝迎春;符靜珂 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號: | A61K47/04 | 分類號: | A61K47/04;A61K47/36 |
| 代理公司: | 上海瀚橋?qū)@硎聞?wù)所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;鄭優(yōu)麗 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 聚糖 修飾 ph 響應(yīng) 性載藥緩 控釋 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種殼聚糖修飾的pH響應(yīng)性載藥緩控釋材料,其特征在于,所述材料由介孔孔道可裝載藥物的介孔二氧化硅納米粒子和包覆所述介孔二氧化硅納米粒子的殼聚糖聚合電解質(zhì)膜組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的材料,其特征在于,所述孔二氧化硅納米粒子的粒徑為50~400nm,介孔孔徑為1.9~10nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的材料,其特征在于,所述殼聚糖聚合電解質(zhì)膜的厚度為2~30nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的材料,其特征在于,可裝載的藥物為水溶性或脂溶性藥物,所述親水性藥物包括阿霉素、絲裂霉素、維生素C,所述脂溶性藥物包括喜樹堿、紫杉醇、布洛芬、青蒿素。
5.一種制備權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述材料的方法,其特征在于,所述方法包括:
將介孔孔道可裝載藥物的介孔二氧化硅納米粒子分散到殼聚糖溶膠中,經(jīng)攪拌、分離、洗滌、干燥得到殼聚糖修飾的pH響應(yīng)性載藥緩控釋材料。
6.一種制備權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述材料的方法,其特征在于,所述方法包括:
將介孔孔道可裝載藥物的介孔二氧化硅納米粒子與硅烷偶聯(lián)劑反應(yīng)以在其表面鍵接活性基團(tuán);以及
將表面鍵接有活性基團(tuán)的介孔二氧化硅納米粒子分散到殼聚糖溶膠中,經(jīng)攪拌、分離、洗滌、干燥得到殼聚糖修飾的pH響應(yīng)性載藥緩控釋材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述的硅烷偶聯(lián)劑為γ-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅氧烷、異氰酸丙基三乙氧基硅烷中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求5-7中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述殼聚糖溶膠的pH值為5.0~6.0。
9.根據(jù)權(quán)利要求5-8中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述殼聚糖溶膠的濃度為0.5~10%。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410187433.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種高效機(jī)械設(shè)備用清洗劑
- 下一篇:磁控濺射鍍膜裝置
- 同類專利
- 專利分類
- 時刻響應(yīng)
- 第一響應(yīng)和第二響應(yīng)
- 需求響應(yīng)方法和需求響應(yīng)系統(tǒng)
- 響應(yīng)裝置及其集成電路、響應(yīng)方法及響應(yīng)系統(tǒng)
- 響應(yīng)處理方法及響應(yīng)處理裝置
- 響應(yīng)裝置及網(wǎng)絡(luò)響應(yīng)方法
- 響應(yīng)生成方法、響應(yīng)生成裝置和響應(yīng)生成程序
- 響應(yīng)車輛、響應(yīng)車輛管理系統(tǒng)和響應(yīng)車輛控制系統(tǒng)
- 斷電響應(yīng)
- 響應(yīng)裝置、響應(yīng)方法及存儲介質(zhì)





