[發明專利]SiGe層的形成方法在審
| 申請號： | 201410187137.2 | 申請日： | 2014-05-05 |
| 公開（公告）號： | CN103972065A | 公開（公告）日： | 2014-08-06 |
| 發明（設計）人： | 肖磊;王敬;梁仁榮;許軍 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01L21/266 | 分類號： | H01L21/266;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sige 形成 方法 | ||
1.一種SiGe層的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：
A.提供頂部具有Si層的襯底；
B.向所述Si層表層注入含有Ge元素的原子、分子、離子或等離子體，以形成SiGe層。
2.如權利要求1所述的SiGe層的形成方法，其特征在于，所述步驟A和步驟B之間還包括：在所述Si層表面形成掩膜，并在所述掩膜上形成開口以在開口位置露出所述Si層。
3.如權利要求1或2所述的SiGe層的形成方法，其特征在于，向所述Si層表層注入所述含有Ge元素的原子、分子、離子或等離子體的同時，注入含B或P或As元素的原子、分子、離子或等離子體，以對所述SiGe層進行摻雜。
4.如權利要求1-3任一項所述的SiGe層的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包括離子注入。
5.如權利要求4所述的SiGe層的形成方法，其特征在于，所述離子注入包括等離子體源離子注入和等離子體浸沒離子注入。
6.如權利要求1-3任一項所述的SiGe層的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包括磁控濺射。
7.如權利要求6所述的SiGe層的形成方法，其特征在于，在利用所述磁控濺射注入的過程中，在所述襯底上加載負偏壓。
8.如權利要求6所述的SiGe層的形成方法，其特征在于，還包括，去除所述磁控濺射在所述SiGe層之上形成的Ge薄膜。
9.如權利要求8所述的SiGe層的形成方法，其特征在于，利用對Ge和SiGe具有高腐蝕選擇比的溶液清洗以去除所述Ge薄膜。
10.如權利要求1-3任一項所述的SiGe層的形成方法，其特征在于，所述注入的過程中對所述襯底加熱，加熱溫度為100-900℃。
11.如權利要求1-3任一項所述的SiGe層的形成方法，其特征在于，還包括，在所述注入之后，對所述SiGe層退火，退火溫度為100-900℃。
12.如權利要求1-3任一項所述的SiGe層的形成方法，其特征在于，所述SiGe層為應變SiGe層。
13.如權利要求12所述的SiGe層的形成方法，其特征在于，所述應變SiGe層的厚度為0.5-100nm。
14.如權利要求12所述的SiGe層的形成方法，其特征在于，所述應變SiGe層中Ge的原子百分含量小于50％。
15.如權利要求1-3任一項所述的SiGe層的形成方法，其特征在于，所述頂部具有Ge層的襯底包括為純Si襯底或絕緣體上Si襯底。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于清華大學，未經清華大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410187137.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
