[發明專利]一種基片承載裝置及基片處理設備

有效

• 申請號: 201410187037.X
• 申請日: 2014-05-04
• 公開（公告）號: CN105097621B
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 張慧;吳軍
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 彭瑞欣,張天舒

1.一種基片承載裝置，包括基座和用于盛放基片的承載槽，所述承載槽形成在所述基座上，其特征在于，所述基片承載裝置還包括能夠導熱的傳導層，所述傳導層設置于所述承載槽底壁的上表面上，所述傳導層能夠在所述基片的工藝溫度下軟化，且在所述工藝溫度下所述傳導層的表面為固態。

2.根據權利要求1所述的基片承載裝置，其特征在于，所述承載槽底面設置為平面或者凹球面。

3.根據權利要求1所述的基片承載裝置，其特征在于，所述傳導層包括石墨紙和密封設置在所述石墨紙內部的導熱材料，該導熱材料能夠在所述基片的工藝溫度下熔化。

4.根據權利要求3所述的基片承載裝置，其特征在于，所述導熱材料為金、銀、鐵和鋁中的至少一者。

5.根據權利要求1所述的基片承載裝置，其特征在于，所述傳導層由軟陶瓷材料制成。

6.根據權利要求1至5中任意一項所述的基片承載裝置，其特征在于，所述承載槽的深度設置為當所述基片設置在所述傳導層上時，所述基片的上表面不凸出于所述基座的上表面。

7.一種基片處理設備，該基片處理設備包括反應腔室，其特征在于，所述反應腔室中設置有權利要求1至6中任意一項所述的基片承載裝置，用以在工藝過程中承載基片。

8.根據權利要求7所述的基片處理設備，其特征在于，所述基片處理設備為金屬化合物氣相沉積設備。