[發明專利]工藝腔室

有效

• 申請號: 201410186979.6
• 申請日: 2014-05-05
• 公開（公告）號: CN105097604B
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 郭浩;楊敬山
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 李芙蓉

1.一種對晶圓進行冷卻的工藝腔室，包括上屏蔽、下屏蔽、過渡板與腔體，所述過渡板固定在所述腔體中，所述上屏蔽固定在所述過渡板的內側，其特征在于，還包括冷卻基座；所述下屏蔽包括第一環狀主體、第二環狀主體以及連接所述第一環狀主體和第二環狀主體的凹陷部，所述下屏蔽間接連接到所述過渡板上并能夠相對所述過渡板上下運動；所述冷卻基座置于所述腔體中，并能夠在所述腔體內上下運動；當所述冷卻基座運動至與所述下屏蔽接觸的位置時，所述冷卻基座帶動所述下屏蔽運動；當所述冷卻基座運動至工藝位置時，所述上屏蔽位于所述下屏蔽的凹陷部內；

在所述冷卻基座中設置有氣體通道，所述氣體通道的開口位于所述冷卻基座的用于放置晶圓的表面。

2.根據權利要求1所述的對晶圓進行冷卻的工藝腔室，其特征在于，在所述冷卻基座的內部還設置有換熱介質。

3.根據權利要求1所述的對晶圓進行冷卻的工藝腔室，其特征在于，所述工藝腔室還包括至少兩個導向桿；所述導向桿的一端固定在所述過渡板上，所述下屏蔽通過所述導向桿連接在所述過渡板上。

4.根據權利要求3所述的對晶圓進行冷卻的工藝腔室，其特征在于，在所述第二環狀主體的外壁上設置有安裝部，在所述安裝部上設置有導向孔，所述導向桿穿過所述導向孔將所述下屏蔽連接到所述過渡板上。

5.根據權利要求4所述的對晶圓進行冷卻的工藝腔室，其特征在于，所述導向桿的數量為三個，三個所述導向桿均勻分布在所述過渡板上。

6.根據權利要求4所述的對晶圓進行冷卻的工藝腔室，其特征在于，所述導向桿的另一端為階梯狀。

7.根據權利要求4至6任意一項所述的對晶圓進行冷卻的工藝腔室，其特征在于，所述第一環狀主體的內徑小于放置在所述冷卻基座上的晶圓的直徑。

8.根據權利要求7所述的對晶圓進行冷卻的工藝腔室，其特征在于，所述第一環狀主體的內徑與所述晶圓的直徑的差值至多為3毫米。

9.根據權利要求7所述的對晶圓進行冷卻的工藝腔室，其特征在于，所述第一環狀主體的內邊緣為斜面，所述斜面的傾斜度為15度至30度。

10.根據權利要求4至6任意一項所述的對晶圓進行冷卻的工藝腔室，其特征在于，所述上屏蔽與所述下屏蔽的凹陷部的外側壁之間的間隙至多為5毫米。

11.根據權利要求1所述的對晶圓進行冷卻的工藝腔室，其特征在于，通入所述冷卻基座的氣體的壓強的計算公式為：

P＝(m×g)/S；

其中，P為通入所述冷卻基座中的氣體的壓強，m為所述下屏蔽的質量，g為重力加速度，S為晶圓與通入所述冷卻基座的氣體的接觸面積。

12.根據權利要求1所述的對晶圓進行冷卻的工藝腔室，其特征在于，所述下屏蔽由金屬材料、絕緣材料或金屬材料和絕緣材料的復合材料制成。

13.根據權利要求1所述的對晶圓進行冷卻的工藝腔室，其特征在于，所述工藝腔室為預清洗工藝腔室、刻蝕腔室、濺射腔室或LED設備。