[發(fā)明專利]供體基底

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410186965.4
• 申請日: 2014-05-05
• 公開（公告）號: CN104183782A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李濬九;金元鍾;鄭知泳;崔鎮(zhèn)百;李娟和;房賢圣;宋英宇
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;戴嵩瑋

本申請要求于2013年5月28日提交的第10-2013-0060487號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和全部權(quán)益，該韓國專利申請的內(nèi)容通過引用被包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種供體基底和一種使用該供體基底形成轉(zhuǎn)印圖案的方法。更具體地講，本發(fā)明涉及一種具有包括組合層的光熱轉(zhuǎn)換層的供體基底以及一種使用該供體基底形成轉(zhuǎn)印圖案的方法。

背景技術(shù)

已經(jīng)使用激光熱轉(zhuǎn)印成像方法作為一種在轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底上形成有機(jī)/無機(jī)圖案(在下文中，稱為轉(zhuǎn)印圖案)的方法。例如，使用激光熱轉(zhuǎn)印成像方法以形成有機(jī)發(fā)光裝置的圖案。

使用供體基底執(zhí)行激光熱轉(zhuǎn)印成像方法。供體基底包括光熱轉(zhuǎn)換層，以將從光源發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為熱。隨著光熱轉(zhuǎn)換層的光吸收率增大，即，隨著光反射率減小，轉(zhuǎn)印圖案容易被轉(zhuǎn)印。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例提供了一種具有改善的光吸收率的供體基底。

本發(fā)明的一個(gè)或更多示例性實(shí)施例提供了一種使用該供體基底形成轉(zhuǎn)印圖案的方法。

本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例提供了一種供體基底，所述供體基底包括：基礎(chǔ)基底；光反射層，位于基礎(chǔ)基底上并且與基礎(chǔ)基底部分地疊置；光熱轉(zhuǎn)換層，位于基礎(chǔ)基底上并且包括組合層，所述組合層包括絕緣材料和第一金屬材料；轉(zhuǎn)印層，位于光熱轉(zhuǎn)換層上。隨著與基礎(chǔ)基底的距離沿光熱轉(zhuǎn)換層的厚度方向的增大，組合層中的第一金屬材料與組合層中的絕緣材料的含量比增大。

光熱轉(zhuǎn)換層還可包括位于組合層上且包括組合層中的第一金屬材料的金屬層。光熱轉(zhuǎn)換層還可包括位于基礎(chǔ)基底和組合層之間且包括組合層中的絕緣材料的絕緣層。隨著與基礎(chǔ)基底的距離沿光熱轉(zhuǎn)換層的厚度方向的增大，組合層中的第一金屬材料與組合層中的絕緣材料的含量比線性增大。

絕緣材料可包括氧化硅、氮化硅或有機(jī)聚合物。

組合層的金屬材料可包括鉻、鈦、鋁、鉬、鉭、鎢或它們的合金。

多個(gè)開口可限定在光反射層中，光反射層可包括第二金屬材料。

本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例提供了一種設(shè)置轉(zhuǎn)印圖案的方法，該方法包括下述步驟：在轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底上設(shè)置供體基底，以使供體基底的轉(zhuǎn)印層與轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底接觸，所述供體基底包括基礎(chǔ)基底、位于基礎(chǔ)基底上并且與基礎(chǔ)基底部分地疊置的光反射層、位于基礎(chǔ)基底上并且包括組合層的光熱轉(zhuǎn)換層以及位于光熱轉(zhuǎn)換層上的轉(zhuǎn)印層，所述組合層包括絕緣材料和金屬材料；將光照射到供體基底上，以在轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底上設(shè)置轉(zhuǎn)印圖案；使供體基底與轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底分離。隨著與基礎(chǔ)基底的距離沿光熱轉(zhuǎn)換層的厚度方向的增大，組合層中的金屬材料與組合層中的絕緣材料的含量比增大。

設(shè)置轉(zhuǎn)印圖案的步驟可以設(shè)置有機(jī)發(fā)光器件的圖案，設(shè)置有機(jī)發(fā)光器件的圖案的步驟可以設(shè)置有機(jī)發(fā)光器件的空穴傳輸層或有機(jī)發(fā)光層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或更多的示例性實(shí)施例，供體基底包括具有基本上均勻的厚度且包括絕緣材料和金屬材料兩者的光熱轉(zhuǎn)換層。因此，所述光熱轉(zhuǎn)換層的光吸收率比僅包括金屬的光熱轉(zhuǎn)換層光吸收率高。另外，在形成供體基底的示例性實(shí)施例中，可減少或有效地防止在形成光熱轉(zhuǎn)換層時(shí)的沉積室的污染。

附圖說明

參照下面結(jié)合附圖考慮時(shí)的詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上和其他優(yōu)點(diǎn)將變得容易清楚，其中：

圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的供體基底的示例性實(shí)施例的平面圖；

圖2是沿圖1中的線I-I'截取的剖視圖；

圖3是示出了圖2中的部分AA的放大圖；

圖4是示出了光熱轉(zhuǎn)換層形成于其中的沉積室的示例性實(shí)施例的側(cè)面剖視圖；

圖5是示出了作為沉積速率(埃每秒，隨時(shí)間(秒，s)的函數(shù)從圖4中示出的沉積源提供的沉積材料的量的示例性實(shí)施例的曲線圖；

圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的供體基底的示例性實(shí)施例的光的波長(納米，nm)的反射比(百分比，％)的曲線圖；

圖7是示出了包括僅包含金屬的光熱轉(zhuǎn)換層的供體基底的光波長(nm)的反射比(％)的曲線圖；

圖8A至圖8C是示出了制造根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)印圖案的方法的示例性實(shí)施例的剖視圖；

圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的包括轉(zhuǎn)印圖案的有機(jī)發(fā)光顯示基底的示例性實(shí)施例的剖視圖；

圖10至圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明的供體基底的可選擇的示例性實(shí)施例的剖視圖。

具體實(shí)施方式