[發(fā)明專利]高劑量輻射檢測器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410186459.5 | 申請日： | 2014-02-19 |
| 公開（公告）號： | CN104007382B | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | B·S·吉爾;N·R·塞弗特;J·A·馬伊斯;X·楊;A·科恩菲爾德 | 申請（專利權(quán)）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | G01R31/317 | 分類號： | G01R31/317 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司72002 | 代理人： | 陳松濤,王英 |
| 地址： | 美國加*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 劑量 輻射 檢測器 | ||
1.一種多核處理器，包括：
多個(gè)輻射檢測器，至少一個(gè)所述輻射檢測器包括二極管，所述二極管包括襯底、陽極區(qū)和陰極區(qū)，其中所述陽極區(qū)和所述陰極區(qū)分布在所述襯底的端部附近，使得所述襯底的大部分沒有所述陽極區(qū)和所述陰極區(qū)；
第一邏輯單元，用于從所述多個(gè)輻射檢測器接收輸出，所述第一邏輯單元用于根據(jù)從所述多個(gè)輻射檢測器接收的輸出來產(chǎn)生輸出，所述第一邏輯單元的所述輸出表示所述多核處理器是否暴露于輻射之下；以及
第二邏輯單元，用于接收所述第一邏輯單元的所述輸出并且使所述多核處理器根據(jù)所述第一邏輯單元的所述輸出來執(zhí)行動(dòng)作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多核處理器，其中所述多個(gè)輻射檢測器中的每一個(gè)輻射檢測器包括：
處于反向偏置模式的所述二極管；以及
耦合到所述二極管的正反饋單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多核處理器，其中所述二極管是利用MOS晶體管的寄生BJT來實(shí)現(xiàn)的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多核處理器，還包括偏置單元，所述偏置單元耦合到所述二極管，以設(shè)置所述二極管的輻射檢測靈敏度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多核處理器，其中所述偏置單元能夠被編程為調(diào)整所述二極管的靈敏度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多核處理器，其中所述第一邏輯單元根據(jù)來自于所述多個(gè)輻射檢測器中的大多數(shù)輻射檢測器的響應(yīng)來產(chǎn)生所述輸出。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多核處理器，其中所述多個(gè)輻射檢測器中的每一個(gè)輻射檢測器包括：
所述二極管；
一端耦合到所述二極管的共柵極晶體管；
電容器，該電容器具有：
耦合到所述二極管的另一端的第一節(jié)點(diǎn)；以及
耦合到地的第二節(jié)點(diǎn)；以及
用于檢測和存儲所述第一節(jié)點(diǎn)的電壓的鎖存器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多核處理器，其中所述第二邏輯單元根據(jù)所述第一邏輯單元的所述輸出來關(guān)閉所述多核處理器。
9.一種用于檢測高劑量輻射的裝置，包括：
分布在處理器管芯中的多個(gè)輻射檢測器，至少一個(gè)所述輻射檢測器包括二極管，所述二極管包括襯底、陽極區(qū)和陰極區(qū)，其中所述陽極區(qū)和所述陰極區(qū)分布在所述襯底的端部附近，使得所述襯底的大部分沒有所述陽極區(qū)和所述陰極區(qū)；以及
用于接收所述多個(gè)輻射檢測器的輸出的邏輯單元，所述邏輯單元根據(jù)所接收的輸出來確定所述處理器管芯是否暴露于入射輻射之下。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述多個(gè)輻射檢測器中的每一個(gè)輻射檢測器包括：
處于反向偏置模式的所述二極管；以及
耦合到所述二極管的正反饋單元。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述二極管是利用MOS晶體管的寄生BJT來實(shí)現(xiàn)的。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，還包括偏置單元，所述偏置單元耦合到所述二極管，以設(shè)置所述二極管的輻射檢測靈敏度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述偏置單元能夠被編程為調(diào)整所述二極管的靈敏度。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述二極管的布局包括到所述二極管的所述陽極區(qū)和所述陰極區(qū)的電氣連接，其中所述陽極區(qū)和所述陰極區(qū)由無任何連接的襯底區(qū)隔開。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中分隔的所述襯底區(qū)是所述二極管的大部分襯底區(qū)。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述多個(gè)輻射檢測器分布在所述處理器管芯的角落處。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述多個(gè)輻射檢測器中的每一個(gè)輻射檢測器包括：
所述二極管；
一端耦合到所述二極管的共柵極晶體管；
電容器，該電容器具有：
耦合到所述二極管的另一端的第一節(jié)點(diǎn)；以及
耦合到地的第二節(jié)點(diǎn)；以及
用于檢測和存儲所述第一節(jié)點(diǎn)的電壓的鎖存器。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述邏輯單元根據(jù)來自于所述多個(gè)輻射檢測器中的大多數(shù)輻射檢測器的響應(yīng)來產(chǎn)生輸出。
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