[發明專利]多量子阱結構、生長方法及具有該結構的LED芯片

有效

• 申請號: 201410186182.6
• 申請日: 2014-05-05
• 公開（公告）號: CN103985797A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 張宇
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明

1.一種多量子阱結構，包括多組依次疊置的結構單元各所述結構單元中包括勢阱層和GaN層，所述GaN層形成于所述勢阱層的表面上，其特征在于，所述勢阱層包括至少一層漸變XGaN層；所述漸變XGaN層中X的摻雜濃度朝向所述GaN層方向漸變；所述X為In或Al。

2.根據權利要求1所述的多量子阱結構，其特征在于，所述勢阱層還包括恒定XGaN層，所述恒定XGaN層設置于所述漸變XGaN層和所述GaN層之間，且所述恒定XGaN層中X的摻雜濃度恒定。

3.根據權利要求2所述的多量子阱結構，其特征在于，各所述漸變XGaN層中X的摻雜濃度沿朝向所述GaN層的方向，從1E+19勻速漸變至3E+19。

4.根據權利要求2～3中任一項所述的多量子阱結構，所述恒定XGaN層的X摻雜濃度為1E+20～3E+20。

5.根據權利要求4所述的多量子阱結構，其特征在于，所述勢阱層的厚度為2.8～3.5nm。

6.根據權利要求4所述的多量子阱結構，其特征在于，所述結構單元的個數為10～15個。

7.一種LED芯片，所述LED芯片包括依次設置的N型局限層、多量子阱結構和P型局限層，其特征在于，所述多量子阱結構為權利要求1～6中任一項所述多量子阱結構。

8.一種權利要求1～6中任一項所述多量子阱結構的生長方法，包括依次疊置生長多組結構單元，生長每組所述結構單元的步驟包括：生長勢阱層，以及在所述勢阱層上生長GaN層，其特征在于，生長所述勢阱層包括：至少生長一層漸變XGaN層。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，生長每層所述漸變XGaN層的步驟包括：控制X源流量，使其從Y/10以流速為30.6～37.4sccm/s勻速增加至Y，以生長所述漸變XGaN層。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，生長所述勢阱層還包括：在完成漸變XGaN層的生長步驟后，在最外層所述漸變XGaN層上生長恒定XGaN；優選生長恒定XGaN的步驟中控制X源流量恒定，且所述X源以流速為11.33～15.0sccm/s摻雜。