[發(fā)明專利]一種熔絲架構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410185667.3
• 申請(qǐng)日: 2014-05-05
• 公開（公告）號(hào): CN103956188A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭建峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京佳瑞欣科技發(fā)展有限公司
• 主分類號(hào): G11C17/16
• 分類號(hào): G11C17/16
• 代理公司: 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228
• 代理人: 馬廷昭

1.一種熔絲架構(gòu)，其特征在于，其包括熔絲單元及與熔絲單元連接的電源與感應(yīng)電路，該熔絲單元設(shè)有能加載控制信號(hào)的字線與傳輸燒錄與讀取數(shù)據(jù)所需電流的位線，該熔絲單元通過(guò)該位線連接該電源與感應(yīng)電路。

2.如權(quán)利要求1所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述熔絲單元包括有一個(gè)開關(guān)元件及連接該開關(guān)元件一端的第一連接組件與連接該開關(guān)元件另一端的第二連接組件，該第一連接組件另一端接地，該第二連接組件另一端為位線并連接該電源與感應(yīng)電路，所述字線連接開關(guān)元件的控制端并控制開關(guān)元件的導(dǎo)通與截止。

3.如權(quán)利要求2所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，用于連接所述開關(guān)元件的第一連接組件的連接端子為兩個(gè)以上，所述第二連接組件的阻抗大于所述第一連接組件的阻抗。

4.如權(quán)利要求2所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述控制信號(hào)為高電平，所述開關(guān)元件導(dǎo)通，所述電源提供燒錄電流并將與該開關(guān)元件連接的第二連接組件的端點(diǎn)熔斷。

5.如權(quán)利要求2所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述字線置為高電平，所述感應(yīng)電路對(duì)所述位線充電，當(dāng)所述第二連接組件被燒斷，所述位線上的電壓為高電位,?當(dāng)所述第二連接組件沒有被燒斷，所述位線上的電壓為低電位，由所述感應(yīng)電路偵測(cè)所述位線上的電壓，判斷出熔絲單元的狀態(tài)。

6.如權(quán)利要求2所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述開關(guān)元件為場(chǎng)效應(yīng)管，該場(chǎng)效應(yīng)管的源極連接該第一連接組件，該場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接該第二連接組件，該場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接所述字線。

7.如權(quán)利要求6所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極的連接形式為：漏極、接觸層、第一金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段及第二金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段、第二金屬層、第二導(dǎo)通段及第三金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段、第二金屬層、第二導(dǎo)通段、第三金屬層、第三導(dǎo)通段及第四金屬層依次連接。

8.如權(quán)利要求2所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述開關(guān)元件為晶體管，該晶體管的基極連接所述字線，發(fā)射極連接所述第一連接組件，集電極連接所述第二連接組件。

9.一種熔絲架構(gòu)，其特征在于，其包括多個(gè)熔絲單元，該熔絲單元組成陣列結(jié)構(gòu)，每行熔絲單元共用一個(gè)能加載控制信號(hào)的字線，每列熔絲單元共用一個(gè)用于傳輸燒錄與讀取數(shù)據(jù)所需電流的位線，每一位線均連接電源與感應(yīng)電路。

10.如權(quán)利要求9所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，每一所述熔絲單元包括有一個(gè)開關(guān)元件及連接該開關(guān)元件一端的第一連接組件與連接該開關(guān)元件另一端的第二連接組件，該第一連接組件另一端接地，該第二連接組件另一端連接該熔絲單元所在列的位線，每一行所述字線連接該行開關(guān)元件的控制端并控制該開關(guān)元件的導(dǎo)通與截止。

11.如權(quán)利要求10所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，用于連接所述開關(guān)元件的第一連接組件的連接端子為兩個(gè)以上，所述第二連接組件的阻抗大于所述第一連接組件的阻抗。

12.如權(quán)利要求10所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述控制信號(hào)為高電平，該控制信號(hào)所在行的開關(guān)元件導(dǎo)通，該行開關(guān)元件連接的所述電源提供燒錄電流并將與該行的開關(guān)元件連接的第二連接組件的端點(diǎn)熔斷。

13.如權(quán)利要求10所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述字線置為高電平，所述感應(yīng)電路對(duì)該字線所在行的所述位線充電，當(dāng)該行的所述第二連接組件被燒斷，該行的所述位線上的電壓為高電位,?當(dāng)該行的所述第二連接組件沒有被燒斷，該行的所述位線上的電壓為低電位，由所述感應(yīng)電路偵測(cè)該行所述位線上的電壓，判斷出熔絲單元的狀態(tài)。

14.如權(quán)利要求10所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述開關(guān)元件為場(chǎng)效應(yīng)管，該場(chǎng)效應(yīng)管的源極連接該第一連接組件，該場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接該第二連接組件，該場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接所述字線。

15.如權(quán)利要求14所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極的連接形式為：漏極、接觸層、第一金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段及第二金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段、第二金屬層、第二導(dǎo)通段及第三金屬層依次連接，或漏極、接觸層、第一金屬層、第一導(dǎo)通段、第二金屬層、第二導(dǎo)通段、第三金屬層、第三導(dǎo)通段及第四金屬層依次連接。

16.如權(quán)利要求10所述的熔絲架構(gòu)，其特征在于，所述開關(guān)元件為晶體管，該晶體管的基極連接所述字線，發(fā)射極連接所述第一連接組件，集電極連接所述第二連接組件。