[發(fā)明專利]具有不連續(xù)P型基區(qū)的溝槽雙極型晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410185538.4
• 申請日: 2014-05-04
• 公開（公告）號: CN103928509A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設計）人: 李宇柱
• 申請（專利權）人: 常州中明半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/10
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 高桂珍

1.具有不連續(xù)P型基區(qū)的溝槽雙極型晶體管，包括背面的金屬集電極(10)、P型集電極(9)、N型場終止層(8)和N-漂移區(qū)(7)，晶體管頂部具有溝槽柵結構，溝槽柵結構由相互接觸的多晶硅柵電極(3)和柵氧化層(6)組成，多晶硅柵電極(3)和柵氧化層(6)從溝槽(11)中延伸出來，覆蓋住頂部一側的N-漂移區(qū)(7)，在N-漂移區(qū)(7)的另一側頂部，還包括P型基區(qū)(5)，P型基區(qū)(5)中具有N+反射區(qū)(2)和P+接觸區(qū)(4)，金屬發(fā)射極(1)同時接觸N+反射區(qū)(2)和P+接觸區(qū)(4)；其特征在于：所述P型基區(qū)(5)是不連續(xù)的，即所述溝槽柵結構所包圍的P型基區(qū)(5)沿溝槽(11)的延伸方向被N-漂移區(qū)(7)分割成不連續(xù)的區(qū)域。

2.根據(jù)權利要求1所述的具有不連續(xù)P型基區(qū)的溝槽雙極型晶體管，其特征在于：所述多晶硅柵電極(3)和柵氧化層(6)從溝槽(11)中延伸出來，還覆蓋住所述不連續(xù)區(qū)域頂部的N-漂移區(qū)(7)。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的具有不連續(xù)P型基區(qū)的溝槽雙極型晶體管，其特征在于：所述的不連續(xù)P型基區(qū)(5)的寬度和間隔距離根據(jù)設計要求確定。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的具有不連續(xù)P型基區(qū)的溝槽雙極型晶體管，其特征在于：所述的溝槽柵結構所包圍的區(qū)域形狀是條形、圓形、方形或者多邊形。