[發明專利]隧穿碳納米管場效應晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201410185138.3
• 申請日: 2014-05-05
• 公開（公告）號: CN105097904B
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發明（設計）人: 肖德元
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331;B82Y40/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金曉

1.一種制造隧穿碳納米管場效應晶體管的方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成由柵極包圍并支撐的碳納米管；

對所述碳納米管進行摻雜，以使得所述柵極兩側的碳納米管部分分別形成具有不同導電類型的源區和漏區；以及

在源區和漏區處形成源區接觸和漏區接觸，所述源區接觸和漏區接觸通過所述碳納米管的至少一部分與所述柵極間隔開；

其中對所述碳納米管進行摻雜包括：

利用蒸發和剝離工藝以金屬Pd和Ca在所述柵極的兩側形成與所述碳納米管的接觸從而形成源區接觸和漏區接觸；其中，金屬Pd與Ca與所述碳納米管的接觸使得所述碳納米管的相應部分分別具有第一和第二導電類型；

所述源區接觸、柵極和漏區接觸各自具有包圍所述碳納米管的具有圓形橫截面的第一部分和位于所述絕緣層上的第二部分；

其中在所述絕緣層上形成由柵極包圍并支撐的碳納米管包括：

在所述絕緣層上形成多孔硅層；

在所述多孔硅層上形成具有開口的光刻膠層，通過所述開口施加金屬催化劑溶液；

烘焙并且去除所述光刻膠層；

利用化學反應在所述多孔硅層中形成碳納米管；

去除部分所述多孔硅層以暴露至少部分所述絕緣層，使得所述碳納米管的兩端由剩余的多孔硅層支撐；

在所述絕緣層上形成包圍所述碳納米管的柵極；

去除剩余的多孔硅層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中由金屬Pd和Ca形成的接觸分別用作源區接觸和漏區接觸，且位于所述絕緣層上并且包圍所述碳納米管。