[發明專利]一種拋光磚拋釉磚加工工藝

有效

• 申請號: 201410184712.3
• 申請日: 2014-05-04
• 公開（公告）號: CN103964901A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 林亮銀;姚燕春
• 申請（專利權）人: 佛山市三水宏源陶瓷企業有限公司
• 主分類號: C04B41/89
• 分類號: C04B41/89;C04B41/84;B24B39/06
• 代理公司: 佛山東平知識產權事務所(普通合伙) 44307
• 代理人: 詹仲國

技術領域

本發明涉及建筑陶瓷技術領域，尤其涉及一種拋光磚拋釉磚加工工藝。

背景技術

在拋光磚的制備過程中，當磚體被拋光后其表面層布滿毛細孔，這些毛細孔容易填充、吸附其他固體顆粒、液體、膠體等，從而造成污染。為提高拋光磚的抗污性能，需在磚體表面層涂覆防污液。

如圖1所示，傳統的拋光磚制備工藝主要包括以下流程：粗拋、中拋——精拋——磨邊——水洗——風干——潔亮——對色、分級——防污——包裝。在傳統工藝中，磨邊之后，磚體的尺寸就被定型，受潔亮和防污工藝本身的局限性，在磚體邊緣往往存在暗邊，光度低，防污效果差的缺陷，以及崩角、爛邊造成少量廢品。對于一些光澤度要求不高(75°-85°)的拋光磚而言，這種缺陷帶來的影響并不是很明顯；而對于一些高光澤度(95°-100°)的拋光磚拋釉磚而言，這種缺陷是不允許的。尤其當相鄰地磚拼合在一起使用一段時間后，黑邊面積翻倍而變得更加凸顯，難以滿足客戶對高檔地磚所提出的要求。

發明內容

針對現有技術中存在的缺陷，本發明的目的在于提供一種無暗邊，拋光磚邊緣防污效果凸出的拋光磚拋釉磚加工工藝。

為達到以上目的，本發明采用如下技術方案。

一種拋光磚拋釉磚加工工藝，其特征在于，包括：拋光—水洗—風干—潔亮—第一次防污—磨邊—水洗—風干—對色、分級—第二次防污—包裝；其中，

所述潔亮是指在風干后的磚體表面涂布一層二氧化硅溶膠，二氧化硅溶膠經失水后聚合成玻璃體填充在拋光磚面層的孔洞內，形成光滑的鏡面；

所述第一次防污是指在潔亮后的磚體表面涂布不足量的防污液，充當工序間的臨時保護；

所述第二次防污是指在磚體表面涂布防污液形成永久保護。

作為上述方案的一種改進，所述二氧化硅溶膠利用正硅酸乙酯，乙醇，去離子水和催化劑經復雜反應制成；也可用金屬硅直接水合生成。

作為上述方案的一種改進，所述二氧化硅溶膠的固含量為5-30％。

作為上述方案的一種改進，第一次防污時防污液的涂布量不超過拋光磚對防污液吸收總量的80％，第一次防污與第二次防污所用防污液總量不超過拋光磚對防污液吸收總量的100％。

作為上述方案的一種改進，所述防污液由兩種能發生聚合反應的有機硅油混合而成，其中一種有機硅油為含氫硅油，另一種有機硅油為烷基改性硅油，聚醚改性硅油，環氧改性硅油，羥基改性硅油中的一種。

作為上述方案的一種改進，所述防污液為溶劑型防污液，該溶劑型防污液按重量份計包括以下原料：

含氫硅油，15-20份；

氨基硅烷，0.5-2.5份；

120號溶劑汽油，100份；

200號溶劑汽油或溶劑汽油D-40，0-4份；

氨基硅油，3-5份。

作為上述方案的一種改進，所述潔亮工序是通過多組加壓磨盤連續拋磨來實現的，所述加壓磨盤的工作壓力為1-5公斤力/平方厘米，每塊拋光磚經過加壓磨盤的數量為3-40組。

與現有技術相比，本發明提供的一種拋光磚拋釉磚加工工藝具有以下有益效果：

一、將磨邊工序放在第一次防污工藝之后，拋光磚邊緣區即暗邊區通過后續的磨邊工序可完全磨去，從根本上解決了高光澤度拋光磚的邊緣光度低、防污差的問題，使高光澤度拋光磚的產品性能得到極大提升。

二、由于第一次防污與第二次防污所用防污液總量不超過拋光磚對防污液吸收總量的100％，有效避免因防污的涂布而帶來色差問題。

附圖說明

圖1所示為現有的拋光磚加工工藝流程圖；

圖2所示為本發明提供的拋光磚加工工藝流程圖。

具體實施方式

為方便本領域普通技術人員更好地理解本發明的實質，下面結合附圖對本發明的具體實施方式進行詳細闡述。

實施例一

如圖2所示，一種拋光磚拋釉磚加工工藝，包括如下步驟：

1)粗、中拋，利用粗拋設備對瓷磚粗坯進行拋磨，去除瓷磚粗坯上的較大凸起，使磚體表面盡量平整。

2)精拋，利用精拋機對瓷磚粗坯繼續拋磨，使瓷磚表面的光度達到25°-55°。在精拋之前進行粗、中拋的好處是，不僅減少精拋機的磨損，而且盡量節約了拋光時間尤其是精拋時間。

3)水洗，利用水洗去瓷磚上的拋光粉末。

4)風干，將水洗后的瓷磚防止在陰涼通風處，讓殘留的水漬自然揮發。