[發(fā)明專利]包含一預(yù)涂層的固體電解電容器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410184682.6
• 申請日: 2014-05-04
• 公開（公告）號: CN104157461B
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K·青木;H·登尾;J·辰野;K·稻澤
• 申請（專利權(quán)）人: AVX公司
• 主分類號: H01G9/15
• 分類號: H01G9/15;H01G9/025;H01G9/028
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 張海文

1.一種固體電解電容器，包括：

一由導(dǎo)電粉末制成的陽極體，其中所述粉末的荷質(zhì)比為70000μF*V/g或更高；

一覆蓋在所述陽極體上的電介質(zhì)；

一覆蓋在所述電介質(zhì)上的膠粘涂層，其中所述膠粘涂層包括一不連續(xù)的預(yù)涂層，并包含多個離散的氧化錳納米突起；以及

一覆蓋在所述電介質(zhì)上的固體電解質(zhì)，所述固體電解質(zhì)包括一導(dǎo)電聚合物層；

其中至少一個所述離散的氧化錳納米突起嵌入到所述固體電解質(zhì)中；

其中所述納米突起的表面覆蓋度為0.1％至40％；

其中所述電容器的歸一化漏電流為0.2μA/μF*V或更低。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述導(dǎo)電粉末包括鉭，所述電介質(zhì)包括五氧化二鉭。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的固體電解電容器，其中所述粉末荷質(zhì)比為120000μF*V/g到250000μF*V/g。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述納米突起的平均尺寸為5nm至500nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中50％或更多的納米突起的平均尺寸為10nm至110nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述納米突起的表面覆蓋度為0.5％至30％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中，所述氧化錳是二氧化錳。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述導(dǎo)電聚合物層包括化學(xué)聚合的導(dǎo)電聚合物。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固體電解電容器，其中所述導(dǎo)電聚合物是取代聚噻吩。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固體電解電容器，其中所述取代聚噻吩是聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中一碳層、銀層或者二者覆蓋所述固體電解質(zhì)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，進(jìn)一步包括一陽極端子和一陰極端子，其中陽極端子電連接到陽極，陰極端子電連接到固體電解質(zhì)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述電容器在100kHz頻率下測定的等效串聯(lián)電阻為300毫歐或更低。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述電容器在100kHz頻率下測定的歸一化漏電流為0.1μA/μF*V或更低。

15.一種形成固體電解電容器的方法，該方法包括：

將包含陽極體和電介質(zhì)的陽極與包含氧化錳前體的溶液接觸，其中所述陽極體由荷質(zhì)比為70000μF*V/g或更高的導(dǎo)電粉末制成；

通過熱解將所述前體轉(zhuǎn)化形成不連續(xù)的層，其中包含許多離散的氧化錳納米突起；以及形成一導(dǎo)電聚合物層，其接觸所述納米突起和所述電介質(zhì)；

其中一個或多個離散的氧化錳納米突起嵌入到所述導(dǎo)電聚合物層中；

其中所述納米突起的表面覆蓋度為0.1％至40％；

其中所述電容器的歸一化漏電流為0.2μA/μF*V或更低。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述氧化錳前體是硝酸錳。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中溶液中含有一表面活性劑，其含量為0.01wt.％至30wt.％。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括，與包含氧化錳前體的溶液接觸前，使陽極接觸加濕氣氛。