[發明專利]等離子反應設備及其溫度監控方法有效
| 申請號： | 201410184127.3 | 申請日： | 2014-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN105088353B | 公開（公告）日： | 2018-07-06 |
| 發明（設計）人： | 胡寧 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/12 | 分類號： | C30B33/12 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子反應設備 溫度監控 測溫裝置 耦合窗 耦合 反應室 溫度測量裝置 反應室頂部 測量耦合 放置晶片 整體監控 位置處 測試 | ||
1.一種等離子反應設備，包括反應室、位于所述反應室頂部的耦合窗和位于所述反應室底部的用于放置晶片的基座，其特征在于：
還包括三個測溫裝置；
多個所述測溫裝置放置在所述耦合窗上；
多個所述溫度測量裝置用于測試所述耦合窗的不同位置處的溫度；
每個所述測溫裝置在所述耦合窗的表面上的垂直投影到所述耦合窗的表面的中心的距離各不相等；
任意一個所述測溫裝置在所述耦合窗的表面上的垂直投影和所述耦合窗的中心的連線與另外兩個所述測溫裝置在所述耦合窗的表面上的垂直投影和所述耦合窗的中心的連線之間的夾角為120°；
所述三個測溫裝置在所述耦合窗的表面上的垂直投影到所述耦合窗的表面的中心的距離分別等于所述晶片直徑的四分之一、所述晶片直徑的二分之一和所述晶片直徑的四分之三。
2.根據權利要求1所述的等離子反應設備，其特征在于：
所述測溫裝置為熱電偶或紅外線測溫儀。
3.根據權利要求2所述的等離子反應設備，其特征在于：
所述測溫裝置為熱電偶；
所述耦合窗的表面上設置有多個凹槽；
所述凹槽的數量與所述測溫裝置的數量相一致；
多個所述測溫裝置分別安裝到多個所述凹槽中。
4.一種等離子反應設備的溫度監控方法，應用于如權利要求1至3任一項所述的等離子反應設備，其特征在于：包括如下步驟：
在反應室內產生等離子體；
測量所述耦合窗的溫度；
通過所述耦合窗的溫度對工藝結果的影響，調整工藝配方的具體參數。
5.根據權利要求4所述的等離子反應設備的溫度監控方法，其特征在于：
所述測溫裝置的數量為三個；
任意一個所述測溫裝置在所述耦合窗的表面上的垂直投影和所述耦合窗的中心的連線與另外兩個所述測溫裝置在所述耦合窗的表面上的垂直投影和所述耦合窗的中心的連線之間的夾角為120°。
6.根據權利要求4所述的等離子反應設備的溫度監控方法，其特征在于：
所述測溫裝置的數量為三個；
所述三個測溫裝置在所述耦合窗的表面上的垂直投影到所述耦合窗的表面的中心的距離分別等于所述晶片直徑的1/4、所述晶片直徑的1/2和所述晶片直徑的3/4。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京北方華創微電子裝備有限公司，未經北京北方華創微電子裝備有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410184127.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
