[發明專利]一種測量植物根毛細胞膜電位的方法有效
| 申請號： | 201410183905.7 | 申請日： | 2014-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN104007162A | 公開（公告）日： | 2014-08-27 |
| 發明（設計）人： | 吳沿友;朱劍昀;張明明;李美清;邢德科;趙寬;趙玉國 | 申請（專利權）人： | 江蘇大學 |
| 主分類號： | G01N27/60 | 分類號： | G01N27/60 |
| 代理公司： | 江蘇縱聯律師事務所 32253 | 代理人： | 戴勇 |
| 地址： | 212013 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 測量 植物 根毛 細胞 膜電位 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種測量植物根毛細胞膜電位的方法，其特征在于包括以下步驟：
步驟一，獲取不同強度電場作用下的離子吸收動力學參數
選取長勢相似的植物幼苗置于不同電場強度的高壓靜電場環境下進行離子吸收實驗，采用耗竭法獲取不同電場強度下的離子吸收動力學參數最大離子吸收速率Imax和親和系數Km，在耗竭法中，離子消耗曲線符合改進的Michaelis–Menten方程，如下式所示
C為吸收溶液濃度，C0為吸收溶液起始濃度，t為吸收時間；
步驟二，構建不同電場強度下的離子吸收動力學參數變化曲線，確定不同電場強度下離子吸收動力學參數曲線拐點以及對應電場強度
從不同電場強度下的離子吸收動力學參數變化曲線中，找出離子吸收動力學參數變化的兩個拐點，確定所述兩個拐點對應的電場強度：即綜合考慮Imax和Km后，第一個拐點對應電場強度值為E1，第二個拐點對應電場強度值為E2；
步驟三，測定根毛細胞半徑，計算根毛細胞膜電位V0，計算公式如下：
V0＝fga(E1-E2)/2
a為測得的細胞半徑；fg取0.3。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇大學，未經江蘇大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410183905.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
