[發明專利]半透明光轉化器件

有效

• 申請號: 201410183534.2
• 申請日: 2014-04-30
• 公開（公告）號: CN104134750B
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 喬迪·馬托雷利佩納;拉斐爾·安德烈斯·貝坦庫爾洛佩拉;巴勃羅·羅梅羅戈麥斯;阿爾貝托·馬丁內斯奧特羅
• 申請（專利權）人: 光子科學研究所基金會;德加泰羅尼亞理工大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種光轉化器件，依次包括：透明基底(1)、覆蓋所述透明基底的第一光透射電觸片(2)、第一電荷阻隔層(3)、包括活性有機感光性材料的吸收層(4)、覆蓋所述活性有機感光性材料的第二電荷阻隔層(5)、第二光透射電觸片(6)以及多層結構(7)，其特征在于所述多層結構包括至少兩層具有不同折射率的不同的電介質材料，并且其中，所述多層結構(7)中每層的厚度在5到500nm之間，并且兩個相鄰層具有不同的折射率；其中，所述多層結構(7)包括其中MoO3層與MgF2層交替的5個層或其中LiF層與MoO3層交替的6個層。

2.根據權利要求1所述的光轉化器件，其中，所述電荷阻隔層的厚度在1nm到150nm之間。

3.根據權利要求1或2所述的光轉化器件，其中，所述第一電荷阻隔層是空穴阻隔層，所述空穴阻隔層包括具有ZnO、PFN或TiO2的半導體層，并且所述第二電荷阻隔層是電子阻隔層，所述電子阻隔層包括MoO3、PEDOT:PSS、WO3、NiO或其組合物。

4.根據權利要求1或2所述的光轉化器件，其中，所述第一電荷阻隔層是電子阻隔層，所述電子阻隔層包括MoO3、PEDOT:PSS、WO3、NiO或其組合物，并且所述第二電荷阻隔層是空穴阻隔層，所述空穴阻隔層包括ZnO、PFN、BCP、TiO2、LiF、LiCoO2或其組合物。

5.根據權利要求1或2所述的光轉化器件，其中，所述第一和第二光透射電觸片包括以下項中的一個或組合：

-金屬層或納米線網，包括Ag、Al、Au、Ti、Ni、Cu或這些金屬的組合物，

-透明導電氧化物層，包括ITO、ZnO、Al:ZnO、SnO2、FTO或這些氧化物的組合，

-導電聚合物，諸如PEDOT、PEDOT:PSS、PEDOT-TMA或碳納米管、或石墨烯層。

6.根據權利要求1或2所述的光轉化器件，其中，所述吸收層(4)包括包含半導體綴合聚合物與富勒烯化合物的混合物的共混物。

7.根據權利要求1或2所述的光轉化器件，其中，所述吸收層(4)包括以連續的配置形成串聯有機活性層的兩個以上的共混物的堆疊。