[發(fā)明專利]鈷酸鋅/氧化鎳核殼納米線陣列的制備方法和應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410183377.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103956483A | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫志鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 新疆維吾爾自治區(qū)產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)研究院 |
| 主分類號(hào): | H01M4/525 | 分類號(hào): | H01M4/525;B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 烏魯木齊中科新興專利事務(wù)所 65106 | 代理人: | 李靜 |
| 地址: | 830011 新疆維吾*** | 國(guó)省代碼: | 新疆;65 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鈷酸鋅 氧化 鎳核殼 納米 陣列 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種鈷酸鋅/氧化鎳核殼納米線陣列的制備方法,其特征在于所述鈷酸鋅/氧化鎳核殼納米線陣列由從上到下由無數(shù)個(gè)核/殼納米線單體組成,所述核/殼納米線單元陣列分布在基地上,核/殼納米線單元主要以納米片包覆納米線的組合,其核為鈷酸鋅多孔納米線,其殼為氧化鎳多孔納米片,且各核/殼納米線單元的軸線與基地垂直,核/殼納米線單元的直徑為200?nm,?長(zhǎng)度為2-3μm,具體操作按下列步驟進(jìn)行:
a、在室溫下,將可溶性鋅鹽、可溶性鈷鹽、氟化銨、尿素按摩爾比例1∶2∶1-1.3∶5-8加入到25mL水中混合后充分?jǐn)嚢?0?min,得到均一溶液,然后將潔凈的基底放入40mL反應(yīng)釜中溶液中,并將均一溶液加入到反應(yīng)釜中,于溫度30℃升溫至120-130℃,升溫速率為1-3℃/min,反應(yīng)5-12h,得到生長(zhǎng)有淡綠色納米線陣列的基底;
b、將步驟a生長(zhǎng)有青綠色納米線陣列的基底,于溫度30℃升溫至400-500℃,升溫速率為1℃/min,焙燒1-5h,得到生長(zhǎng)有黑褐色鈷酸鋅納米線陣列的基底;
c、將步驟b生長(zhǎng)有黑褐色鈷酸鋅納米線陣列的泡沫鎳基底靜置于體積比硫酸鎳∶過二硫酸鉀∶氨水=5∶4∶1的混合溶液中,反應(yīng)放置0.5-2h;
?d、然后將鈷酸鋅納米線陣列基底于溫度30℃升溫至350-400℃,升溫速率為1℃/min,焙燒1-3h,即得鈷酸鋅/氧化鎳核殼納米線陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于所述步驟a中可溶性鋅鹽為Zn(CH2CH3)2、ZnSO4、ZnCl2或Zn(NO3)2,可溶性鈷鹽為Co(CH2CH3)2、CoSO4、CoCl2或Co((NO3)2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于所述步驟a中可溶性鋅鹽為Zn?(CH2CH3)2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于步驟a中可溶性鈷鹽為Co(CH2CH3)2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于步驟a中的基底為不銹鋼片、不銹鋼網(wǎng)、金屬鈦片、金屬鈦網(wǎng)、金屬鎳片、泡沫鎳、炭片或泡沫石墨烯。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于步驟b中得到的基底為具有導(dǎo)電性好、耐氧化、耐腐蝕性能的材料。
7.一種如權(quán)利要求1所述方法獲得的鈷酸鋅/氧化鎳核殼納米線陣列在制備鋰離子電池負(fù)極材料中的應(yīng)用。
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