[發明專利]AMOLED陣列基板及制作方法和顯示裝置在審
| 申請號: | 201410183223.6 | 申請日: | 2014-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN103985736A | 公開(公告)日: | 2014-08-13 |
| 發明(設計)人: | 王繼亮;李重君 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | amoled 陣列 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種有源矩陣有機電致發光器件陣列基板,其特征在于,包括基板和位于基板上且陣列排布的多個像素單元,每個所述像素單元包括薄膜晶體管、有機電致發光器件和存儲電容下極板,其中:
所述存儲電容下極板與所述薄膜晶體管的柵極電連接;
所述有機電致發光器件的頂電極位于所述存儲電容下極板的上方且與所述存儲電容下極板之間通過像素界定層間隔,所述有機電致發光器件的頂電極與所述存儲電容下極板位置相對的部分作為存儲電容上極板。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述存儲電容下極板與所述有機電致發光器件的底電極材質相同且位于同層。
3.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述存儲電容下極板與所述薄膜晶體管的柵極通過第一絕緣層過孔電連接。
4.如權利要求1~3任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述像素界定層中,位于存儲電容下極板與存儲電容上極板之間的部分厚度最小。
5.如權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述像素界定層材質包括有機樹脂或二氧化硅。
6.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1~5任一項所述的有源矩陣有機電致發光器件陣列基板。
7.一種有源矩陣有機電致發光器件陣列基板的制作方法,其特征在于,包括在基板上形成薄膜晶體管、有機電致發光器件和存儲電容下極板的步驟,該方法具體包括:
形成與所述薄膜晶體管的柵極電連接的存儲電容下極板的圖形;
形成覆蓋所述存儲電容下極板的像素界定層的圖形;
形成位于所述像素界定層之上的有機電致發光器件的頂電極的圖形,所述有機電致發光器件的頂電極包括與所述存儲電容下極板位置相對的部分。
8.如權利要求7所述的制作方法,其特征在于,還包括:
形成有機電致發光器件的底電極的圖形,所述有機電致發光器件的底電極的圖形與所述存儲電容下極板的圖形通過同一次構圖工藝形成。
9.如權利要求8所述的制作方法,其特征在于,在形成有機電致發光器件的底電極的圖形與存儲電容下極板的圖形之前,還包括:
通過同一次構圖工藝形成用于連接薄膜晶體管的柵極與存儲電容下極板的第一絕緣層過孔的圖形,以及用于連接薄膜晶體管的源極與有機電致發光器件的底電極的第二絕緣層過孔的圖形。
10.如權利要求7~9任一項所述的制作方法,其特征在于,在形成所述像素界定層的圖形時,位于存儲電容下極板與存儲電容上極板之間的部分的制作厚度最小。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





