[發(fā)明專利]一種晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410182981.6 | 申請日: | 2014-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN105018956B | 公開(公告)日: | 2017-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊娟玉;盧世剛;康志君;史碧夢;王寧 | 申請(專利權(quán))人: | 北京有色金屬研究總院 |
| 主分類號: | C25B1/00 | 分類號: | C25B1/00;C25B11/03;C25B11/04;C30B29/18;C30B29/02 |
| 代理公司: | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11100 | 代理人: | 劉秀青,熊國裕 |
| 地址: | 100088 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶體 二氧化硅 多孔 復(fù)合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料,其特征在于:三維網(wǎng)狀晶體二氧化硅均勻分布在碳顆粒表面構(gòu)成該晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料,其中的二氧化硅為四方晶體,屬于P41212空間群,a=b=4.973,c=6.924;該晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料的孔隙率為40-80%,中位孔徑為100-2000nm,電阻率為0.10-80Ω·cm,該晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料中二氧化硅的質(zhì)量百分含量為30-90%,碳材料的質(zhì)量百分含量為10-70%。
2.按照權(quán)利要求1所述的晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料,其特征在于:所述的晶體二氧化硅是原料非晶二氧化硅顆粒在助熔劑的作用下得到的。
3.按照權(quán)利要求1所述的晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料,其特征在于:所述的碳顆粒為高純天然石墨、人造石墨以及其他無定型碳材料的至少一種。
4.按照權(quán)利要求1所述的晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料,其特征在于:所述的碳顆粒呈球形狀、類球形狀、片狀、線狀、管狀中的至少一種。
5.一種權(quán)利要求1-4中任一項所述晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:至少包含以下步驟:
第一步,混合:將二氧化硅顆粒、碳材料以及助熔劑混合均勻,制成粉末狀混合物;
第二步,成型:將粉末狀混合物成型制成多孔塊體;
第三步,燒結(jié):將所獲得的多孔塊體在惰性氣氛中經(jīng)高溫?zé)崽幚沓ブ蹌┖蟮玫饺S網(wǎng)狀晶體二氧化硅/碳多孔復(fù)合材料。
6.按照權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于:第一步中所述的二氧化硅為非晶二氧化硅。
7.按照權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于:第一步中所述的二氧化硅顆粒為類球形顆粒,粒徑為10nm至1μm。
8.按照權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于:第一步中所述的助熔劑為堿金屬或堿土金屬的氯化物或氟化物中的一種或幾種。
9.按照權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于:第二步中所述的混合方法為磁力攪拌、真空混煉或球磨。
10.按照權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于:第三步中所述的高溫?zé)崽幚淼臏囟雀哂谒x助熔劑的熔點。
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